[实用新型]智能功率模块和采用该智能功率模块的PCB单面板

权利要求书

1.一种智能功率模块，包括高压驱动电路和功率开关器件，所述功率 开关器件包括上桥臂IGBT和下桥臂IGBT，其特征在于，还包括串联于所 述高压驱动电路的高压驱动供电电源负端与所述上桥臂IGBT的发射极之 间的电阻。

2.如权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，

所述高压驱动电路包括W相高压半桥驱动电路、V相高压半桥驱动电 路、U相高压半桥驱动电路和低压三相全桥驱动电路；

所述功率开关器件包括W相上桥臂IGBT、V相上桥臂IGBT、U相上 桥臂IGBT、W相下桥臂IGBT、V相下桥臂IGBT和U相下桥臂IGBT；

所述W相高压半桥驱动电路用于驱动W相上桥臂IGBT，所述V相高 压半桥驱动电路用于驱动V相上桥臂IGBT，所述U相高压半桥驱动电路 用于驱动U相上桥臂IGBT，所述低压三相全桥驱动电路用于驱动W相下 桥IGBT、V相下桥IGBT和U相下桥IGBT；

所述W相高压半桥驱动电路的高压驱动供电电源负端与W相上桥臂 IGBT的发射极之间、所述V相高压半桥驱动电路的高压驱动供电电源负 端与V相上桥臂IGBT的发射极之间、所述U相高压半桥驱动电路的高压 驱动供电电源负端与U相上桥臂IGBT的发射极之间各自串联有所述电阻。

3.如权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：

串联在所述W相上桥臂IGBT的发射极和集电极之间的W相上桥臂快 速恢复二极管；

串联在所述V相上桥臂IGBT的发射极和集电极之间的V相上桥臂快 速恢复二极管；

串联在所述U相上桥臂IGBT的发射极和集电极之间的U相上桥臂快 速恢复二极管；

串联在所述W相下桥臂IGBT的发射极和集电极之间的W相下桥臂快 速恢复二极管；

串联在所述V相下桥臂IGBT的发射极和集电极之间的V相下桥臂快 速恢复二极管；

串联在所述U相下桥臂IGBT的发射极和集电极之间的U相下桥臂快 速恢复二极管。

4.如权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，

所述W相上桥臂IGBT、V相上桥臂IGBT、U相上桥臂IGBT的集电 极均与直流电源正端相连；

所述W相上桥臂IGBT的发射极与W相模块输出管脚相连，所述V 相上桥臂IGBT的发射极与V相模块输出管脚相连，所述U相上桥臂IGBT 的发射极与U相模块输出管脚相连；

所述W相下桥臂IGBT的发射极与W相直流电源负端相连，所述V 相下桥臂IGBT的发射极与V相直流电源负端相连，所述U相下桥臂IGBT 的发射极与U相直流电源负端相连。

5.如权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述W相高压 半桥驱动电路的W相高压芯片输出管脚与所述W相上桥臂IGBT的栅极相 连，所述V相高压半桥驱动电路的V相高压芯片输出管脚与所述V相上桥 臂IGBT的栅极相连，所述U相高压半桥驱动电路的U相高压芯片输出管 脚与所述U相上桥臂IGBT的栅极相连。

6.如权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述W相高压 半桥驱动电路、V相高压半桥驱动电路、U相高压半桥驱动电路的芯片地 端均与所述低压三相全桥驱动电路的芯片地端相连。

7.如权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述功率开关器 件包括W相上桥臂IGBT、V相上桥臂IGBT、U相上桥臂IGBT、W相下 桥臂IGBT、V相下桥臂IGBT和U相下桥臂IGBT均为沟槽栅FS型IGBT。

8.如权利要求7所述的智能功率模块，其特征在于，所述功率开关器 件包括W相上桥臂IGBT、V相上桥臂IGBT、U相上桥臂IGBT、W相下 桥臂IGBT、V相下桥臂IGBT和U相下桥臂IGBT中，饱和压降范围为 1.5-1.8V，跨导范围为6S-7S。

9.一种PCB单面板，其特征在于，包括如权利要求1至8中任意一 项所述的智能功率模块。

10.如权利要求9所述的PCB单面板，其特征在于，还包括：U相 自举电阻、V相自举电阻、W相自举电阻、U相自举二极管、V相自举二 极管和W相自举二极管；其中，

所述W相自举电阻与W相自举二极管串联后连接至所述W相高压半 桥驱动电路的高压驱动供电电源负端；

所述V相自举电阻与V相自举二极管串联后连接至所述V相高压半桥 驱动电路的高压驱动供电电源负端；

所述U相自举电阻与U相自举二极管串联后连接至所述U相高压半桥 驱动电路的高压驱动供电电源负端。