[实用新型]一种移相电路的控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及直流电源变换技术领域，特别涉及一种移相电路的控制电路。

背景技术

电力电子技术是应用于电力领域的电子技术，是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。在单相整流电路中应用较多的是单相全控桥式移相整流电路，传统全控整流电路采用晶闸管为主器件，在大功率整流场合应用比较广泛。但是在某些小功率场合，采用晶闸管作为主器件的成本会比较高，研制周期长，结构比较复杂。

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种移相电路的控制电路，本实用新型采用功率MOSFET来代替晶闸管设计移相电路，相对于晶闸管，功率MOSFET的成本较低，而且功率MOSFET是属于电压型控制器件，控制电路也比晶闸管简单很多，不仅能够得到和晶闸管电路一样的电路结果，而且可以简化电路、缩短研制周期、节约成本。

为解决上述问题，本实用新型提供以下技术方案：

一种移相电路的控制电路，包括主电路、驱动电路和控制电路，所述控制电路与驱动电路电连接，所述驱动电路与主电路电连接，所述控制电路由比较器和与门电路连接组成，用于控制信号的发生；所述驱动电路由隔离光耦和放大器件连接组成，用于隔离干扰信号并把控制信号放大；所述主电路采用以功率MOSFET为核心的单相全控桥式整流电路。

进一步的，所述控制电路包括比较器、与门、电位器和电容，所述比较器输出端与与门一端连接，所述比较器另一端经过电位器与与门连接，所述电位器与与门之间通过电容接地。

进一步的，所述驱动电路包括隔离光耦和放大器件，所述隔离光耦的输出与电压放大器输入连接，所述隔离光耦为TPL521。

进一步的，所述主电路包括功率MOSFET、二极管和负载电阻，所述功率MOSFET的源极与二极管阴极相连，所述功率MOSFET的漏极与二极管阳极相连，所述每个功率MOSFET都串联一个二极管组成单相全控桥式整流电路，所述负载电阻连接单相全控桥式整流电路输出。

与现有技术相比本实用新型的有益效果为：

本实用新型采用功率MOSFET来代替晶闸管设计移相电路，相对于晶闸管，功率MOSFET的成本较低，而且功率MOSFET是属于电压型控制器件，控制电路也比晶闸管简单很多，不仅能够得到和晶闸管电路一样的电路结果，而且可以简化电路、缩短研制周期、节约成本、方便维修。

附图说明

图1为本实用新型实施例的系统框图。

图2为本实用新型实施例的单相全控桥式整流电路主电路图。

图3为本实用新型实施例的单相全控整流电路波形图。

图4为本实用新型实施例的单相全控桥式整流电路控制信号产生原理图。

图5为本实用新型实施例的控制电路各点波形图。

图6为本实用新型实施例的单相全控桥式整流电路的完整控制电路图。

具体实施方式

下面结合说明书附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式做进一步详细描述：

如图1所示一种移相电路的控制电路，包括主电路、驱动电路和控制电路，所述控制电路与驱动电路电连接，所述驱动电路与主电路电连接，所述控制电路由比较器和与门电路连接组成，用于控制信号的发生；所述驱动电路由隔离光耦和放大器件连接组成，用于隔离干扰信号并把控制信号放大；所述主电路采用以功率MOSFET为核心的单相全控桥式整流电路。

所述驱动电路包括隔离光耦和放大器件，所述隔离光耦的输出与电压放大器输入连接，所述隔离光耦为TPL521。

如图2—3所示，所述主电路包括功率MOSFET、二极管和负载电阻，所述功率MOSFET的源极与二极管阴极相连，所述功率MOSFET的漏极与二极管阳极相连，所述每个功率MOSFET都串联一个二极管组成单相全控桥式整流电路，所述负载电阻连接单相全控桥式整流电路输出。

其中Q1，Q2，Q3，Q4为功率MOSFET，和D1，D2，D3，D4一起组成了一个全控桥式电路。每个功率MOSFET都串联一个二极管的目的是使MOSFET变成逆阻器件，如果不串联二极管，由于功率MOSFET具有反并联二极管，电路在工作过程中会导致短路。

电路的工作原理如下，电路各处波形如图3所示(图3中M1为Q1和Q3的驱动信号，M2为Q2和Q3的驱动信号)：

(1)0～ωt₁：MOSFET都没有驱动信号，所以都处于截止状态，输出电压u_d＝0。