[实用新型]一种太阳能电池湿法刻蚀的水膜装置有效

专利信息
申请号: 201521126918.7 申请日: 2015-12-29
公开(公告)号: CN205231093U 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 华重庆;过渭平 申请(专利权)人: 安徽银阳光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 蒋海军
地址: 243000 安徽省马鞍山市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 湿法 刻蚀 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于太阳能电池生产设备技术领域,更具体地说,涉及一种太阳能电池湿法 刻蚀的水膜装置。

背景技术

近年来,太阳能电池片生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,使 光伏发电的应用日益普及并迅猛发展,逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片是一种 能量转换的光电元件,能够通过光电效应或者光化学效应直接将光能转化成电能,从而实现 光伏发电。硅电池片的生产工艺比较复杂,一般包括以下步骤:切片、制绒、扩散、刻蚀、 镀减反射膜、印刷电极、电极烧结和测试。其中,刻蚀是制备硅太阳能电池片的重要工序, 其目的是要去除在扩散工艺形成的电池片背面的磷硅玻璃,刻蚀质量的好坏直接影响电池片 的转换效率。

当前硅片的刻蚀方法主要包括干法刻蚀和湿法刻蚀,其中,现有湿法刻蚀方法的生产过 程为:经扩散后的硅太阳能电池片从上料端进入刻蚀槽,利用刻蚀槽内HNO3、HF、H2SO4的混合液体对硅片的下表面和边缘进行腐蚀,从而去除硅片边缘的N型硅,使得硅片的上、 下表面相互绝缘。

但采用上述湿法刻蚀工艺,在实际生产过程中硅片从刻蚀槽流出时,很容易造成硅片边 缘出现有刻蚀印,导致正面金属栅线与P型硅接触,容易造成短路,且刻蚀槽的酸气易腐蚀 硅片表面,使刻蚀前后方阻发生变化,影响硅片的使用性能。因此,现有技术中在进行湿法 刻蚀前通常需要在硅片上表面喷淋一层水膜,从而隔绝刻蚀工艺过程对硅片正面PN结的破 坏,然后经过混酸溶液进行边缘和背面腐蚀,以达到刻蚀目的。但现有技术中通常采用人工 控制向水箱内不断加注水源,而硅片表面水膜的形成受喷淋水水源波动的影响较大,当水箱 内水源供应不及时则会造成硅片表面不能形成良好的水膜,从而导致硅片边缘出现有刻蚀印。

经检索,关于能够对硅片水膜装置水箱内的水量进行自动控制的专利报道已有相关公开。

如,中国专利申请号:201120115456.4,申请日:2011年04月19日,发明创造名称为: 多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置,该申请案的刻蚀装置包括去离子水储存箱、喷洒水膜装 置,在去离子水储存箱内设有低液位感应器和高液位感应器,低液位感应器、高液位感应器 连有PLC控制器,PLC控制器与进水管的气动阀、排水管的气动阀相连。本实用新型在一 定程度上能够克服由于去离子水储存箱在使用过程中液位的降低幅度大而导致水压降低,从 而使喷淋水供应不足的问题,能够对去离子水储存箱内的液位实现自动控制,但该申请案中 需要设置五个去离子水储存箱分别对不同喷水道供水,结构较复杂,浪费资源,且该申请案 也难以保证硅片表面水膜的均匀性。

实用新型内容

1.实用新型要解决的技术问题

本实用新型的目的在于克服现有技术中对硅片进行喷淋水膜时,易发生水箱内的水源供 应不及时,从而导致硅片表面水膜形成不良,使硅片边缘出现有刻蚀印的不足,提供了一种 太阳能电池湿法刻蚀的水膜装置。通过使用本实用新型的太阳能电池湿法刻蚀的水膜装置, 能够对水箱内的液位进行自动控制,保证液位平稳,从而保证水膜形成的稳定性和均匀性。

2.技术方案

为达到上述目的,本实用新型提供的技术方案为:

本实用新型的一种太阳能电池湿法刻蚀的水膜装置,包括传送辊轮和喷淋机构,其中, 所述的传送辊轮位于喷淋机构的下方用于承载、输送电池片,传送辊轮的下料端与刻蚀槽相 连,所述的喷淋机构包括喷淋管、供水管和水箱,喷淋管通过供水管与水箱相连,所述供水 管的出水端与喷淋管的中部相连通,在喷淋管上沿其长度方向设有一排节流阀,上述供水管 上设有手动阀,且在所述的水箱内还设有水位控制阀。

更进一步地,所述的传送辊轮通过硅片挡圈分隔为八段,每段传送辊轮上方均匀设有4-7 个节流阀。

更进一步地,在每段传送辊轮上均设有一个传感器,该传感器及与该传感器所在传送辊 轮对应的节流阀均与控制器相连。

更进一步地,在所述传送辊轮下料端的上方对应设有压水辊轮,通过压水辊轮的转动使 硅片表面的水膜铺展均匀。

更进一步地,在所述的供水管上还设有水泵。

3.有益效果

采用本实用新型提供的技术方案,与现有技术相比,具有如下有益效果:

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