[实用新型]OLED显示器有效
申请号: | 201521131095.7 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN205231069U | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 王龙;陈心全;朱修剑;葛明伟 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 余毅勤 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示器 | ||
1.一种OLED显示器,其特征在于,包括:玻璃基板,形成于所述玻璃基 板上的绝缘层,其中,所述玻璃基板与所述绝缘层之间或者所述绝缘层中形成 有导电层。
2.如权利要求1所述的OLED显示器,其特征在于,所述绝缘层包括形成 于所述玻璃基板上的氮化硅层以及形成于所述氮化硅层上的氧化硅层。
3.如权利要求2所述的OLED显示器,其特征在于,所述导电层形成于所 述氮化硅层和所述氧化硅层之间。
4.如权利要求1所述的OLED显示器,其特征在于,所述导电层为多晶硅 层。
5.如权利要求1~4中任一项所述的OLED显示器,其特征在于,所述导电 层呈一面整体结构。
6.如权利要求1~4中任一项所述的OLED显示器,其特征在于,所述导电 层呈网格结构。
7.如权利要求6所述的OLED显示器,其特征在于,所述绝缘层为第一绝 缘层。
8.如权利要求7所述的OLED显示器,其特征在于,还包括:形成于所述 第一绝缘层上的源极、漏极以及源漏极之间的沟道,覆盖所述源极、漏极以及 沟道的第二绝缘层,形成于所述第二绝缘层上的栅极及扫描线。
9.如权利要求8所述呃OLED显示器,其特征在于,网格结构的导电层中 的每一网格包围一组源极、漏极及栅极。
10.如权利要求1~4中任一项所述的OLED显示器,其特征在于,所述导 电层的厚度与所述绝缘层的厚度处于同一数量级。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的