[实用新型]一种用于射频SIM卡的低频信号检测电路

权利要求书

1.一种用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特征在于，所述检测 电路包括：

感应线圈，用于耦合低频磁场发出的信号，将所述信号转化成电流；

匹配电路，用于降低耦合进入线圈中的电流在传输时的损耗，所述匹 配电路连接感应线圈两端，包括第一电容和第二电容，所述第一电容与感 应线圈的一端相连后接地，所述第二电容与感应线圈的另一端相连后接地；

低通滤波电路，用于过滤高频信号留下低频信号，包括第一电阻、第 三电容、第二电阻、第四电容，所述第一电阻一端与第一电容的非接地端 相连，另一端与第三电容的非接地端相连，所述第二电阻一端与第二电容 的非接地端相连，另一端与第四电容的非接地端相连，所述第三电容一端 与第一电阻相连，另一端接地，所述第四电容一端与第二电阻相连，另一 端接地；

信号放大电路，用于将传输造成衰减的电流放大，包括第三电阻、第 四电阻和信号放大器，所述第三电阻一端与第三电容的非接地端相连，另 一端与信号放大器的正输入端相连，所述第四电阻一端与信号放大器的正 输入端相连，另一端与信号放大器的输出端相连，所述信号放大器的负输 入端与第四电容的非接地端相连。

2.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特 征在于，所述感应线圈的形状与SIM卡的形状和大小匹配，为圆形、矩形、 弧形、W形、S形或棍状。

3.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特 征在于，所述感应线圈用陶瓷、磁性材料或铜质材料制成。

4.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特 征在于，所述感应线圈电感值L的取值范围为1uH≤L≤10uH。

5.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特 征在于，所述感应线圈品质因数Q的取值范围为10≤Q≤30。

6.根据权利要求5所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特 征在于，所述感应线圈品质因数Q为20。

7.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特 征在于，所述第一电阻R1的取值范围为5Ω≤R1≤100Ω。

8.根据权利要求7所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特 征在于，所述第一电阻R1为10Ω。

9.根据权利要求1所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其特 征在于，所述第二电阻R2的取值范围为5Ω≤R2≤100Ω。

10.根据权利要求9所述的用于射频SIM卡的低频信号检测电路，其 特征在于，所述第二电阻R2为10Ω。