[实用新型]一种两级储能供电电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种供电电路，特别是一种两级储能供电电路。

背景技术

有源相控阵雷达技术是近年来正在发展的新技术，具有比传统火控雷达更多的优势。有源相控阵雷达系统具在瞬时发射的瞬时峰值功率较高，但接收功率较低，且整个工作周期内平均功率较低的特点。现有有源相控阵雷达系统的供电电路中采用较多数量的储能电容进行供电，造成供电电路较为复杂且常常也不能达到雷达瞬时发射时的峰值功率要求，因而急需一种电路结构简单且能安全稳定的为雷达提供电源的供电电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有有源相控阵雷达系统的供电电路中采用较多数量的储能电容进行供电，造成供电电路较为复杂且常常也不能达到雷达瞬时发射时的峰值功率要求的问题，提供一种瞬时功率较大、平均功率较小且输出供电允许一定跌落的两级储能供电电路。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种两级储能供电电路，包括：依次连接的电源、一级储能电容、电流检测与调制电路和二级储能电容，所述电流检测与调制电路用于根据电路中的电压进行延时设定，并在延时时间完成之后断开所述一级储能电容与所述二级储能电容的连接；

所述电源在雷达未处于发射状态时对所述一级储能电容和二级储能电容进行充电；在雷达处于发射状态时，所述电源与所述一级储能电容在所述延时时间内为雷达发射信号提供所需的峰值功率，在延时时间完成后通过所述电流检测与调制电路断开所述一级储能电容与所述二级储能电容的连接，此时由所述二级储能电容单独为雷达发射信号提供所需的峰值功率；

其中，电源在开机阶段给一级储能电容和二级储能电容进行充电，而当相控阵雷达开始工作，即雷达处于发射状态时，此时由所述电源和一级储能电容为雷达发射信号提供所需的峰值功率，由于电源和一级储能电容长时间提供峰值功率，会导致电源进入电流保护点，因此通过设定延时，使电源在不进入电流保护点的情况下和所述一级储能电容在所述延时时间的安全范围内，为雷达的信号发射提供峰值功率，而在延时时间完成后，则通过所述电流检测与调制电路断开一级储能电容与所述二级储能电容的连接，此时由所述二级储能电容单独为雷达的信号发射提供所需的峰值功率，从而保护电源不进入电流保护点，同时也实现了以较小功率等级的电源可以瞬时提供高于自身额定功率的能量而不损坏或者进入保护模式；其中，还可通过使用不同容量的一级储能电容，从而根据实际需求调整所述延时时间，从而调整峰值功率的持续时间，以适应不同的峰值功率要求；

所述雷达停止发射信号后，此时电路中不再需要提供峰值功率，此时，所述二级储能电容停止向雷达提供峰值功率，此时所述二级储能电容也电压跌落到一定值，而采样电阻采集到电路中的电压跌落，此时可通过电流检测与调制电路进行延时设定，在延时时间完成后重新连通所述一级储能电容和二级储能电容，使电源为所述二级储能电容充电，为下一次雷达信号发射所需的峰值功率做准备。其中，同样的还可以通过使用不同容量的二级储能电容值，可以调整所述二级储能电容的电压跌落值，以适应不同的峰值功率要求；

通过使用不同容量的一级储能电容和二级储能电容，还使得所述电源电流保护点得以调整，因而整个电路的峰值功率持续时间、电源电流保护点以及允许的最大电压跌落均可以独自进行调整。

作为本实用新型的优选方案，所述电流检测与调制电路包括依次连接的采样电阻和MOSFET，所述采样电阻一端连接所述一级储能电容，另一端连接所述MOSFET，所述MOSFET一端连接所述采样电阻后，另一端还连接所述二级储能电容；

在所述采样电阻两端还连接有差分放大电路，所述差分放大电路后级还依次连接有延时比较电路、门限比较与滞环电路和MOSFET驱动电路，所述MOSFET驱动电路还与所述MOSFET连接；

所述差分放大电路用于对所述采样电阻上的电压进行差分放大，经过差分放大之后的第一差分放大信号被送入所述延时比较电路进行延时处理为第二差分放大信号；所述延时比较电路在延时时间完成后，将所述第二差分放大信号送入所述门限比较与滞环电路，所述门限比较与滞环电路用于将所述第二差分放大信号进行回差处理，并输出回差信号；所述MOSFET驱动电路接收并根据所述回差信号开启或关闭所述MOSFET；

其中，所述回差信号用于避免MOSFET驱动电路频繁开启所述MOSFT而造成电源损坏。。

作为本实用新型的优选方案，所述MOSFET驱动电路连接所述MOSFET的栅极，所述采样电阻和二级储能电容分别连接所述MOSFET的源极或漏极。