[实用新型]一种高性能磁阻器件

权利要求书

1.一种高性能磁阻器件，其特征在于：它包括基底（1）、在所述基底（1）之上的依次排布的多个InSb薄膜圆盘（2）、在所述InSb薄膜圆盘（2）之上的环形电极（5）、在所述InSb薄膜圆盘（2）之上并位于所述环形电极（5）内侧的中心电极（6）、在所述环形电极（5）之上并部分覆盖环形电极（5）的绝缘膜（7），所述高性能磁阻器件还包括第一电极（3）、第二电极（4）以及多个连接电极（8），设所述InSb薄膜圆盘（2）为n个，所述连接电极（8）为n+1个，n≥2，并设1＜x≤n，n和x均为整数，第1个连接电极（8）的一端与所述第一电极（3）相连接，另一端跨过位于第1个InSb薄膜圆盘（2）上的绝缘膜（7）并与第1个InSb薄膜圆盘（2）上的中心电极（6）相连接，第x个连接电极（8）的一端与第x-1个InSb薄膜圆盘（2）上的环形电极（5）相连接，另一端跨过位于第x个InSb薄膜圆盘（2）上的绝缘膜（7）并与第x个InSb薄膜圆盘（2）上的中心电极（6）相连接，第n+1个连接电极（8）的一端与第n个InSb薄膜圆盘（2）上的环形电极（5）相连接，另一端与所述第二电极（4）相连接。

2.根据权利要求1所述的一种高性能磁阻器件，其特征在于：所述的绝缘膜（7）覆盖在各环形电极（5）上，且在每个环形电极（5）上方开有多个第一透口和多个第二透口以使每个环形电极（5）有部分从所述第一透口中露出，中心电极（6）从所述第二透口中露出。

3.根据权利要求1所述的一种高性能磁阻器件，其特征在于：所述的环形电极（5）沿所述InSb薄膜圆盘（2）的外缘部（21）设置。

4.根据权利要求1所述的一种高性能磁阻器件，其特征在于：所述的绝缘膜（7）材料为SiO₂。

5.根据权利要求1所述的一种高性能磁阻器件，其特征在于：所述的基底（1）包括由下至上依次设置的衬底层（11）、过渡层（12）、绝缘层（13），所述过渡层（12）材料为化合物，该化合物含有包括In在内的与In同族的至少一种金属元素，所述的化合物中至少含有Sb，化合物中除Sb外仅含有In所在族中的金属元素。

6.根据权利要求5所述的一种高性能磁阻器件，其特征在于：所述的绝缘层（13）材料为In₂O₃或SiO₂。

7.根据权利要求5所述的一种高性能磁阻器件，其特征在于：若在所述高性能磁阻器件制作过程中，对所述InSb进行退火处理时的退火温度低于InSb的熔点，则所述过渡层（12）材料为InSb，若在所述高性能磁阻器件制作过程中，对所述InSb进行退火处理时的退火温度高于InSb的熔点，则所述过渡层（12）材料为除InSb外的其他所述化合物。

8.根据权利要求5中所述的一种高性能磁阻器件，其特征在于：所述的衬底层（11）材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。

9.根据权利要求1中所述的一种高性能磁阻器件，其特征在于：所述的基底（1）材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。