[实用新型]一种具有预埋电极的磁敏器件有效
| 申请号： | 201521137508.2 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN205335299U | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 马可军;俞振中;郑律 | 申请（专利权）人： | 江苏森尼克电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215634 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电极 器件 | ||
1.一种具有预埋电极的磁敏器件，它包括由下至上依次设置的基底（1）、InSb薄膜（2），其特征在于：所述的具有预埋电极的磁敏器件还包括位于所述基底（1）上表面的至少两个电极（3），所述InSb薄膜（2）的一部分位于所述基底（1）上表面，所述InSb薄膜（2）的其他部分位于各所述电极（3）的上表面，并分别部分覆盖各电极（3）。
2.根据权利要求1所述的一种具有预埋电极的磁敏器件，其特征在于：所述电极（3）的裸露部分通过打线工艺与导线（4）连接，所述的裸露部分被定义为电极（3）的未被所述InSb薄膜（2）覆盖的部分。
3.根据权利要求1中所述的一种具有预埋电极的磁敏器件，其特征在于：所述的基底（1）材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。
4.根据权利要求1所述的一种具有预埋电极的磁敏器件，其特征在于：所述的基底（1）包括由下至上依次设置的衬底层（11）、过渡层（12）、绝缘层（13），所述过渡层（12）材料为AlSb、GaSb、InGaSb、InAlSb或InGaAlSb。
5.根据权利要求4所述的一种具有预埋电极的磁敏器件，其特征在于：所述的绝缘层（13）材料为In2O3或SiO2。
6.根据权利要求4中所述的一种具有预埋电极的磁敏器件，其特征在于：所述的衬底层（11）材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。
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