[实用新型]一种具有延伸电极的磁敏器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种具有延伸电极的磁敏器件。

背景技术

现有技术中的磁敏器件，包括由下而上依次设置的衬底层、锑化铟薄膜、电极，导线通过打线工艺连接在电极上。而由于锑化铟材料软脆，在对电极进行打线时，会使位于电极之下的锑化铟薄膜损坏。

实用新型内容

为克服上述缺点，本实用新型的目的在于提供一种具有延伸电极的磁敏器件。

为了达到以上目的，本实用新型采用的技术方案是：一种具有延伸电极的磁敏器件，它包括基底、在基底之上的形成所需芯片图案的InSb薄膜，具有延伸电极的磁敏器件还包括至少两个电极，每个电极的一部分位于InSb薄膜上表面，另一部分延伸至基底上表面。

进一步地，电极的所述另一部分通过打线工艺与导线连接。

进一步地，电极材料采用金或铝。

进一步地，基底材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。

进一步地，基底包括由下至上依次设置的衬底层、过渡层、绝缘层，过渡层材料为化合物，该化合物含有包括In在内的与In同族的至少一种金属元素，所述的化合物中至少含有Sb，化合物中除Sb外仅含有In所在族中的金属元素。

更进一步地，绝缘层材料为In₂O₃或SiO₂。

更进一步地，若在具有延伸电极的磁敏器件制作过程中，对InSb进行退火处理时的退火温度低于InSb的熔点，则过渡层材料为InSb，若在具有延伸电极的磁敏器件制作过程中，对InSb进行退火处理时的退火温度高于InSb的熔点，则过渡层材料为除InSb外的其他化合物。

更进一步地，衬底层材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。

上述的一种具有延伸电极的磁敏器件的制造工艺，包括以下步骤：

A.在基底上表面生长InSb薄膜层，并按照芯片图案通过半导体光刻工艺形成InSb薄膜；

B.通过半导体光刻掩膜工艺，蒸发电极使电极的一部分位于InSb薄膜上表面，另一部分延伸至基底上表面。

进一步地，通过打线工艺将导线连接至InSb薄膜的位于基底上表面的所述另一部分上。

由于采用了上述技术方案，本实用新型一种具有延伸电极的磁敏器件，通过将电极从InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打线时则在电极的位于基底上表面的那一部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。

附图说明

附图1为本实用新型背景技术中现有的磁敏器件的侧剖结构示意图；

附图2为本实用新型实施例一中一种具有延伸电极的磁敏器件的俯视结构示意图；

附图3为本实用新型实施例一中一种具有延伸电极的磁敏器件的侧剖结构示意图；

附图4为本实用新型实施例二中一种具有延伸电极的磁敏器件的侧剖结构示意图。

图中标号为：

1、基底；11、衬底层；12、过渡层；13、绝缘层；

2、InSb薄膜；

3、电极；

4、导线。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解。

实施例一

参照附图2和附图3，本实施例中的一种具有延伸电极的磁敏器件，它包括基底1、在基底1之上的形成所需芯片图案的InSb薄膜2。具有延伸电极的磁敏器件还包括至少两个电极3，每个电极3的一部分位于InSb薄膜2上表面，另一部分延伸至基底1上表面。

电极3的所述另一部分通过打线工艺与导线4相连接。

附图2示出了一种InSb薄膜形状及电极3设置位置的实施例。

电极3材料采用金或铝。

基底1材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。