[实用新型]一种多芯电容器有效

专利信息
申请号: 201521142009.2 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN205354874U 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 刘晓华 申请(专利权)人: 天津市科达斯特光电科技有限公司
主分类号: H01G2/16 分类号: H01G2/16;H01G2/14;H01G2/24
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 李莉华
地址: 300384 天津市滨海新区高新*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电容器
【说明书】:

技术领域

发明创造属于电子元器件技术领域,尤其是涉及一种多芯电容器。

背景技术

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中,现有电容器内两极电路部件之间绝缘效果差,容易击穿短路,电容元件的两个电极被击穿时,容器或壳体变化因内部气压升高而膨胀变形,可能引发高温爆裂,甚至燃烧,同时电容器外壳材料为铝材质时,撞击时易产生变形,破坏电容素子,也容易导致电容器短路,引发高温爆裂,甚至燃烧。因此,提供电容的抗爆性能迫在眉睫。另外,在电路板生产过程中进行装配电容时,操作工人通常都是依靠肉眼来辨别电容的正负极,不仅工作效率低,而且存在容易操作失误的缺陷,有时不小心就会将电容两极装反,造成废品。

发明内容

有鉴于此,本发明创造旨在克服上述现有技术中的缺陷,提出一种多芯电容器。

为达到上述目的,本发明创造的技术方案是这样实现的:

一种多芯电容器,包括外壳以及密封于外壳内的多个电容芯;所述外壳上设有正极引脚和负极引脚;每个所述电容芯均分别与所述正极引脚和负极引脚连接;在所述外壳的正极引脚一侧设有“十”字凹槽,负极引脚一侧设有“一”字凹槽;所述外壳上下两端都设有防爆凹陷部。

进一步,所述正极引脚为镀锡铜丝。

进一步,所述负极引脚为镀镍铜丝。

进一步,所述防爆凹陷部底面为球面。

进一步,连接所述正极引脚和负极引脚的导线上设有熔断器。

进一步,对应每一所述防爆凹陷部都设有防爆带;所述防爆带的两端分别与所述外壳连接。

相对于现有技术,本发明创造所述的一种多芯电容器具有以下优势:

1)外壳结实耐用,在外壳上下两端都设有防爆凹陷部,在外壳内部气压升高而膨胀变形时,该防爆凹陷部会被向外逐渐推出,直至向外凸出,抵消内部发热的膨胀量,大大减小了电容外壳爆裂的可能。另外,外壳内设置多个电容芯,它们都独立的与正极引脚和负极引脚连接,即使有一个或数个电容芯出现故障,本电容器仍能继续使用和工作,可靠性高。

2)外壳的正极引脚和负极引脚位置处分别设有”十”字凹槽和“一”字凹槽的标识,通过冲头冲裁成型,加工简单,标识效果明显,非常醒目,能够提示装配操作工人准确区分电容的正、负,减少操作失误,降低废品率。

3)外壳上下两端对应防爆凹陷部都设有防爆带,可以最大限度的避免外壳爆裂的可能,即使外壳发生爆裂,防爆带也能很好的缓冲外壳冲击,避免对外界人员或物品造成伤害。

4)连接正极引脚和负极引脚的导线上设有熔断器,外壳内的电容芯温度过高时,自行熔断,避免了电容爆裂发生危险,安全性高。

附图说明

构成本发明创造的一部分的附图用来提供对本发明创造的进一步理解,本发明创造的示意性实施例及其说明用于解释本发明创造,并不构成对本发明创造的不当限定。在附图中:

图1为本发明创造的立体结构示意图;

图2为本发明创造的结构剖视图。

附图标记说明:

1-外壳;2-电容芯;3-正极引脚;4-负极引脚;5-“十”字凹槽;6-“一”字凹槽;7-防爆凹陷部;8-防爆带。

具体实施方式

需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明创造中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在本发明创造的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明创造和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明创造的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明创造的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市科达斯特光电科技有限公司,未经天津市科达斯特光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201521142009.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top