[实用新型]一种双层扩散石英舟有效
申请号: | 201521142785.2 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN205335234U | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双层 扩散 石英 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种石英舟,具体涉及一种双层扩散石英舟,属于太阳能电池技术领域。
背景技术
在光伏太阳能行业,太阳能电池的制造要经过制绒,扩散,刻蚀,镀膜,丝网印刷和烧 结六大工序。其中,扩散工序的目的是在硅片正面形成PN结,PN结在太阳光的照射下产生 光生伏打效应。
目前,光伏行业普遍采用管式扩散炉对硅片扩散,每管500多片硅片,操作员工使用吸 笔将花篮中的硅片吸住插入专门的石英舟里,然后将石英舟放入炉管中扩散。扩散后,待石 英舟从炉管中出来冷却后,操作员工再用吸笔将硅片卸到花篮中。现有石英舟为单层,有500 多个凹槽,长度为1.5-2米。扩散气体从炉尾运动到炉口,需要一定的时间,气体运动速度 会下降,气体浓度会逐渐降低,导致硅片的片间方阻均匀性和片内方阻均匀性很差,进而制 约电池光电转换效率的提升。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题,本实用新型提供一种双层扩散石英舟,提高扩散气体在 炉管内的均匀性,从而提高硅片的片间方阻均匀性和片内方阻均匀性,进而提升电池的光电 转换效率。
为了实现上述目的,本实用新型采用的一种双层扩散石英舟,所述石英舟采用上下双层 结构,包括第一层石英舟体及位于第一层石英舟体正上方的第二层石英舟体,所述第一层石 英舟体、第二层石英舟体上均设有200-300个插槽,该石英舟的长度为0.5-1米。
作为改进,所述第一层石英舟体、第二层石英舟体分别包括四根横梁,每层石英舟体的 上下两端各为两根横梁,水平横梁之间的距离和上下横梁之间的距离均小于156mm,每根横 梁上设有若干用于固定硅片的插槽。
作为改进,所述第一层石英舟体包括位于上端的第一层上横梁Ⅰ和第一层上横梁Ⅱ、及 位于下端的第一层下横梁Ⅰ和第一层下横梁Ⅱ,所述第一层上横梁Ⅰ和第一层上横梁Ⅱ位于 同一水平面,所述第一层下横梁Ⅰ和第一层下横梁Ⅱ位于同一水平面,所述第一层石英舟体 中各横梁分别相互平行。
作为改进,所述第二层石英舟体包括位于上端的第二层上横梁Ⅰ和第二层上横梁Ⅱ、及 位于下端的第二层下横梁Ⅰ和第二层下横梁Ⅱ,所述第二层上横梁Ⅰ和第二层上横梁Ⅱ位于 同一水平面,所述第二层下横梁Ⅰ和第二层下横梁Ⅱ位于同一水平面,所述第二层石英舟体 中各横梁分别相互平行。
作为改进,横梁上的各插槽宽度相同。
作为进一步改进,所述插槽宽度为1-3mm。
作为改进,横梁上的各插槽间的槽间隔宽度相同。
作为进一步改进,所述槽间隔宽度为1-3mm。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该扩散石英舟为双层结构,长度仅是传统 扩散石英舟的一半左右,将有效减少扩散气体的传输距离,提高扩散气体在炉管内的均匀性, 从而提高硅片的片间方阻均匀性和片内方阻均匀性,进而提升电池的光电转换效率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型中横梁上插槽结构示意图;
图中:1、第一层石英舟体,11、第一层上横梁Ⅰ,12、第一层上横梁Ⅱ,13、第一层下 横梁Ⅰ,14、第一层下横梁Ⅱ,2、第二层石英舟体,21、第二层上横梁Ⅰ,22、第二层上横 梁Ⅱ,23、第二层下横梁Ⅰ,24、第二层下横梁Ⅱ,3、插槽。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面通过附图中及实施例,对 本实用新型进行进一步详细说明。但是应该理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本 实用新型,并不用于限制本实用新型的范围。
如图1、图2所示,一种双层扩散石英舟,所述石英舟采用上下双层结构,包括第一层 石英舟体1及位于第一层石英舟体1正上方的第二层石英舟体2,所述第一层石英舟体1、第 二层石英舟体2上均设有200-300个插槽,该石英舟的长度为0.5-1米。
作为实施例的改进,所述第一层石英舟体1、第二层石英舟体2分别包括四根横梁,每 层石英舟体的上下两端各为两根横梁,水平横梁之间的距离和上下横梁之间的距离均小于 156mm,每根横梁上设有若干用于固定硅片的插槽3,结构设计合理,有效降低了石英舟的长 度,同时采用双层结构,每次硅片的扩散加工量不会降低,且能明显提高扩散气体在炉管内 的均匀性,从而提高硅片的片间方阻均匀性和片内方阻均匀性。
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