[发明专利]集成有混合传感器的LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种集成有混合传感器的LED芯片，所述芯片包括：

衬底；

n型半导体层，形成在所述衬底上；

两个或更多LED单元，形成在所述n型半导体层上以包括有源层和p型半导体层；

绝缘层，形成在除了形成所述LED单元的区域之外的部分中；

p型电极极板，形成在所述绝缘层上以连接至所述LED单元的所述p型半导体层；

两个或更多n型电极极板，形成在被暴露在移除了所述绝缘层的区域中的所述n型半导体层上；

n型电极极板连接单元，穿过所述两个或更多LED单元之间的中央区域以连接所述n型电极极板；以及

空白空间，形成在所述n型电极极板连接单元之下。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，进一步包括：连接到所述芯片的输出装置。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其中，所述输出装置显示电流的变化。

4.根据权利要求2所述的LED芯片，其中，在所述n型电极极板连接单元被污染物损坏时通过改变与电极连接的所述输出装置的输出来感测污染水平。

5.根据权利要求4所述的LED芯片，其中，n型电极由感测所述污染水平并且改变输出的所述混合传感器与作为照明元件利用流入所述n型半导体层的电流发光的所述LED单元共享。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述n型电极极板连接单元是对化学刺激物起反应的金属。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其中，所述化学刺激物是包括神经毒气、无色气体和无味气体的化学气体。

8.根据权利要求6所述的LED芯片，其中，所述化学刺激物是包括HCl、H₂SO₄、硝酸、HF和王水的环境污染气体。

9.根据权利要求6所述的LED芯片，其中，所述化学刺激物是环境污染物。

10.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，由于所述n型电极极板连接单元的顶部低于所述n型电极极板或所述p型电极极板的高度，空间设置在所述n型电极极板连接单元之上。

11.根据权利要求2所述的LED芯片，其中，所述输出装置显示电流变化率。

12.一种集成有混合传感器的LED芯片的制造方法，所述方法包括以下步骤：

制备衬底；

在所述衬底上堆叠包含多量子阱外延层的半导体层；

在所述半导体层上形成两个或更多LED单元；

在所述LED单元和所述衬底上形成绝缘层之后，蚀刻将要形成两个或更多n型电极极板、两个或更多p型电极极板和n型横跨电 极的区域的二氧化硅，以便将n型电极部分与对应于p型电极的区域电隔离；

形成在所述LED单元之间横跨的桥形的光刻胶图案；

形成覆盖所述光刻胶图案的金属桥形的用于连接所述n型电极极板的连接单元；以及

通过移除桥形的所述光刻胶来形成所述混合传感器。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成连接单元的所述步骤是使用掩模形成金属桥的沉积步骤。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，形成连接单元的所述步骤包括：

形成用于连接所述n型电极极板的金属的沉积步骤；以及

以桥的形式在所述桥形的光刻胶上形成沉积金属的光刻步骤，其中，在所述光刻的工艺中移除桥形的所述光刻胶。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其中，所述p型电极极板和所述n型电极极板的高度被设定为高于所述金属桥。