[发明专利]半导体用复合基板的操作基板以及半导体用复合基板有效
| 申请号： | 201580000420.2 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105190838B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 宫泽杉夫;岩崎康范;高垣达朗;井出晃启;中西宏和 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 复合 操作 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种操作基板，是半导体用复合基板的操作基板，其特征在于，
所述操作基板由多晶氧化铝形成，所述操作基板的外周边缘部的晶粒的平均粒径为20～55μm，所述操作基板的中央部的晶粒的平均粒径为10～50μm，所述操作基板的外周边缘部的晶粒的平均粒径为所述中央部的晶粒的平均粒径的1.1倍以上、3.0倍以下，所述外周边缘部是从所述操作基板的边缘起、向着中心的宽5mm的环状部分。
2.一种半导体用复合基板，具有权利要求1所述的操作基板、以及接合在所述操作基板的接合面上的施主基板。
3.根据权利要求2所述的复合基板，其中，所述施主基板由单晶硅构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
