[发明专利]波导型缝隙阵列天线以及缝隙阵列天线模块有效
申请号: | 201580000753.5 | 申请日: | 2015-02-25 |
公开(公告)号: | CN105229858B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 上道雄介 | 申请(专利权)人: | 株式会社藤仓 |
主分类号: | H01Q13/22 | 分类号: | H01Q13/22 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 波导 缝隙 阵列 天线 以及 模块 | ||
1.一种波导型缝隙阵列天线,是在长方体状的波导的上壁形成了多个缝隙的波导型缝隙阵列天线,其特征在于,
在所述波导内配置有与该波导的上壁及侧壁正交的多个控制壁,
所述多个缝隙的各个被配置成跨越由所述控制壁划分出的区间的边界且在俯视时不与所述控制壁重叠,
在所述波导内,所述多个控制壁被配置成锯齿状,
在与所述波导的侧壁正交的方向上,一个所述波导内的一个所述控制壁的宽度在一个所述波导的宽度的二分之一以上。
2.根据权利要求1所述的波导型缝隙阵列天线,其特征在于,
所述波导型缝隙阵列天线具备第一电介质层和隔着该第一电介质层相互对置的两个导体层,所述两个导体层是作为所述波导的上壁发挥作用的第一导体层以及作为所述波导的下壁发挥作用的第二导体层,
所述侧壁以及所述控制壁是将形成在所述第一电介质层的圆柱状的柱栅状配置而成的柱壁。
3.根据权利要求1所述的波导型缝隙阵列天线,其特征在于,
所述波导型缝隙阵列天线具备第一电介质层和隔着该第一电介质层相互对置的两个导体层,所述两个导体层是作为所述波导的上壁发挥作用的第一导体层以及作为所述波导的下壁发挥作用的第二导体层,
所述侧壁是将形成在所述第一电介质层的圆柱状的柱栅状配置而成的柱壁,
所述控制壁是形成在所述第一电介质层的棱柱状的板壁。
4.一种缝隙阵列天线模块,其特征在于,具备:
权利要求2所述的波导型缝隙阵列天线;以及
微带线,其由层叠在所述波导的上壁之上或者所述波导的下壁之下的第二电介质层、和隔着该第二电介质层与所述波导的上壁或者所述波导的下壁对置的第三导体层构成。
5.根据权利要求4所述的缝隙阵列天线模块,其特征在于,
所述波导型缝隙阵列天线包括贯通孔作为TE模式激励构造,所述贯通孔是贯通所述第一电介质层以及所述第二电介质层且对孔壁实施了导体电镀的贯通孔,所述贯通孔通过形成于所述波导的上壁以及所述波导的下壁的开口而与所述波导的上壁以及所述波导的下壁绝缘,并且与所述第三导体层导通。
6.根据权利要求4所述的缝隙阵列天线模块,其特征在于,
所述波导型缝隙阵列天线包括非贯通孔作为TE模式激励构造,所述非贯通孔是贯通所述第二电介质层并从所述第一电介质层的与所述第二电介质层对置的面起到达内部的、对孔壁实施了导体电镀的非贯通孔,所述非贯通孔通过形成于夹在所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的导体层的开口而与所述波导的上壁或者所述波导的下壁绝缘,并且与所述第三导体层导通。
7.根据权利要求4所述的缝隙阵列天线模块,其特征在于,
还具备与所述第三导体层连接的RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit:射频集成电路),
所述第二电介质层被层叠在所述波导的下壁之下,
所述第三导体层隔着所述第二电介质层与所述波导的下壁对置,
所述RFIC被配置成在俯视时与所述波导重叠。
8.一种缝隙阵列天线模块,具备权利要求1~3中任意一项所述的波导型缝隙阵列天线和波导管,所述缝隙阵列天线模块的特征在于,
在所述波导的一个端部形成有开口,
所述波导管以该波导管的波导经由所述开口与所述波导型缝隙阵列天线的波导连通的方式与所述波导型缝隙阵列天线连接。
9.根据权利要求8所述的缝隙阵列天线模块,其特征在于,
在所述波导内,形成有配置在所述开口的附近的控制柱,
所述波导的包含所述开口的区间内的左侧壁与右侧壁之间的间隔比所述波导的该区间外的左侧壁与右侧壁之间的间隔宽。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社藤仓,未经株式会社藤仓许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580000753.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。