[发明专利]相位校正装置和方法

权利要求书

1.一种相位校正装置，其特征在于，包括：

第一逆变器，所述第一逆变器耦合于第一输入端和第一输出端之间，其中，所述第一逆变器包括：

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管在电源和地之间串联，其中，所述第一晶体管的第一栅极和所述第二晶体管的第二栅极连接所述第一逆变器的输入端；

第二逆变器，所述第二逆变器耦合于第二输入端和第二输出端之间；

第一反馈电容，所述第一反馈电容耦合于所述第一逆变器的输入和所述第二输出端之间；

第二反馈电容，所述第二反馈电容耦合于所述第二逆变器的输入和所述第一输出端之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二逆变器包括：

第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管在所述电源和地之间串联，其中：

所述第三晶体管的第三栅极和所述第四晶体管的第四栅极连接所述第二逆变器的输入；

所述第三栅极和所述第四栅极的公共节点耦合于所述第二输入端。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括：

第一输入电容，所述第一输入电容耦合于所述第一输入端和所述第一逆变器的输入之间；

第二输入电容，所述第二输入电容耦合于所述第二输入端和所述第二逆变器的输入之间。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，还包括：

第一电阻，所述第一电阻耦合于所述第一逆变器的输入和所述第一输出端之间；

第二电阻，所述第二电阻耦合于所述第二逆变器的输入和所述第二输出端之间。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：

所述第一反馈电容耦合于所述第一输入端和所述第二输出端之间；

所述第二反馈电容耦合于所述第二输入端和所述第一输出端之间。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：

所述第一反馈电容耦合于所述第二输出端和所述第一逆变器的输入之间；

所述第二反馈电容耦合于所述第一输出端和所述第二逆变器的输入之间。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：

所述第一输入电容的电容值大于所述第一反馈电容的电容值；

所述第二输入电容的电容值大于所述第二反馈电容的电容值。

8.一种相位校正系统，其特征在于，包括：

混合器，用于从天线接收射频信号以及从本地振荡器接收频率变换信号；

缓冲器，所述缓冲器耦合于所述混合器并通过差分线对连接所述本地振荡器，其中，所述缓冲器包括：

第一逆变器，所述第一逆变器由两个串联的晶体管组成；

第一电阻，所述第一电阻耦合于所述第一逆变器的输入和所述第一逆变器的输出之间；

第一输入电容，所述第一输入电容耦合于所述缓冲器的第一输入端和所述第一逆变器的输入之间；

第二逆变器，所述第二逆变器由两个串联的晶体管组成；

第二电阻，所述第二电阻耦合于所述第二逆变器的输入和所述第二逆变器的输出之间；

第二输入电容，所述第二输入电容耦合于所述缓冲器的第二输入端和所述第二逆变器的输入之间；

第一反馈电容，所述第一反馈电容耦合于所述第一逆变器的输入和所述第二逆变器的输出之间；

第二反馈电容，所述第二反馈电容耦合于所述第二逆变器的输入和所述第一逆变器的输出之间。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述第一逆变器包括：

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管在电源和地之间串联，其中，所述第一晶体管的第一栅极和所述第二晶体管的第二栅极连接所述第一逆变器的输入端。

10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于：

所述第一晶体管为PMOS晶体管；

所述第二晶体管为NMOS晶体管。

11.根据权利要求10所述的系统，其特征在于，所述第二逆变器包括：

第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管在所述电源和所述地之间串联，其中，所述第三晶体管的第三栅极和所述第四晶体管的第四栅极连接所述第二逆变器的输入。