[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201580000937.1 | 申请日: | 2015-04-27 |
公开(公告)号: | CN105308748B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 中村明弘 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/14;H04N5/369;H04N5/372;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
本发明涉及固态成像装置和电子设备,其中,在不包括形成相位差用的遮光层的相位差像素中,无论图像高度如何均可以使相位差检测特性保持一致。固态成像装置包括像素阵列单元,在像素阵列单元中,多个像素二维地布置成矩阵构造。像素阵列单元中的一部分像素包括第一光电转换元件和第二光电转换元件,第一光电转换元件和第二光电转换元件构造成接收并光电转换入射光。第一光电转换元件的光接收特性分布的中心位置和第二光电转换元件的光接收特性分布的中心位置被构造成在像素阵列单元的中央部分和周边部分之间是相同的。例如,本发明的技术可以应用至固态成像装置。
技术领域
本发明涉及固态成像装置和电子设备,具体地,涉及在不包括用于 形成相位差的遮光层的相位差像素中无论图像高度如何均可以使相位检 测特性保持一致的固态成像装置和电子设备。
背景技术
提出如下一种固态成像装置,在该固态成像装置中的使用遮光层来 遮挡部分光接收区域并检测相位差的相位差像素中,通过根据图像高度 的变化来改变穿过微透镜的对象光的成像点的位置以及遮光层的开口端 部的位置来使无论图像高度如何均可以使相位差检测特性保持一致(例 如,参见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1:JP2012-182332A
发明内容
技术问题
然而,在将多个光接收区域设置在一个像素中且基于从光接收区域 中获得的信号来检测相位差的相位差像素的类型中,不能够采用专利文 献1中披露的技术,这是因为不存在遮光层。也就是说,虽然专利文献1 中披露的技术可以应用至包括遮光层的像素,但是在不包括遮光层并对 光接收区域进行划分的像素中不能够采用专利文献1中披露的技术。
本发明是鉴于这种情况提出的,并且在不包括形成相位差用的遮光 层的相位差像素中,无论图像高度如何均可以使相位检测特性保持一致。
技术方案
根据本发明的第一方面,提供了一种固态成像装置,所述固态成像 像素包括:像素阵列单元,在所述像素阵列单元中,多个像素二维地布 置成矩阵构造。所述像素阵列单元中的一部分所述像素包括第一光电转 换元件和第二光电转换元件,所述第一光电转换元件和所述第二光电转 换元件被构造成接收并光电转换入射光。所述第一光电转换元件的光接 收特性分布的中心位置和所述第二光电转换元件的光接收特性分布的中 心位置被构造成在所述像素阵列单元的中央部分和周边部分之间是相同 的。
根据本发明的第二方面,提供了一种包括固态成像装置的电子设备, 所述固态成像装置包括:像素阵列单元,在所述像素阵列单元中,多个 像素二维地布置成矩阵构造。所述像素阵列单元中的一部分所述像素包 括第一光电转换元件和第二光电转换元件,所述第一光电转换元件和所 述第二光电转换元件被构造成接收并光电转换入射光。所述第一光电转 换元件的光接收特性分布的中心位置和所述第二光电转换元件的光接收 特性分布的中心位置被构造成在所述像素阵列单元的中央部分和周边部 分之间是相同的。
在本发明的第一方面和第二方面中,以矩阵构造二维地布置有多个 像素的像素阵列单元的一部分像素包括包括第一光电转换元件和第二光 电转换元件,所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件被构造成 接收并光电转换入射光。所述第一光电转换元件的光接收特性分布的中 心位置和所述第二光电转换元件的光接收特性分布的中心位置被构造成 在所述像素阵列单元的中央部分和周边部分之间是相同的。
所述固态成像装置和所述电子设备可以是独立的装置,或者可以为 结合在其他装置中的模块。
有益效果
根据本发明的第一方面和第二方面,在不包括形成相位差用的遮光 层的相位差像素中,无论图像高度如何均可以使相位检测特性保持一致。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的