[发明专利]含荧光体的识别物体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201580001096.6 申请日: 2015-03-18
公开(公告)号: CN105431894B 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 猿山俊夫;后藤诚;片石拓海 申请(专利权)人: 富士高分子工业株式会社
主分类号: G09F13/20 分类号: G09F13/20;B42D25/36;C09K11/08;G09F3/02
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 代理人: 龚敏,王刚
地址: 日本国爱知县名古屋*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 荧光 识别 物体 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种含荧光体的识别物体,其特征在于,

基材的表面整体或一部分由含荧光体的硅酮薄层覆盖,

所述基材的主要的聚合物成分为硅酮,所述基材和所述含荧光体的硅酮薄层为一体不可分的状态,

所述含荧光体的硅酮薄层存在于所述基材的表面,

形成所述含荧光体的硅酮薄层的硅酮组合物其自身不具有固化性能,但通过与基材接触而固化,

所述含荧光体的硅酮薄层在可视光线的照射下不发光,在紫外线或黑光的照射下发光,由此具有识别性。

2.根据权利要求1所述的含荧光体的识别物体,其中,

所述基材为固化物。

3.根据权利要求1所述的含荧光体的识别物体,其中,

作为所述基材的主要的聚合物成分的硅酮、和形成含荧光体的硅酮薄层的硅酮组合物中的硅酮相溶。

4.根据权利要求1所述的含荧光体的识别物体,其中,

所述基材为导热性硅酮组合物。

5.根据权利要求1所述的含荧光体的识别物体,其中,

所述含荧光体的硅酮薄层的厚度为0.1~20μm。

6.根据权利要求1所述的含荧光体的识别物体,其中,

所述基材为腻子状。

7.根据权利要求1所述的含荧光体的识别物体,其中,

所述荧光体为针状或粒状。

8.一种制造权利要求1~7中任一项所述的含荧光体的识别物体的制造方法,其特征在于,

形成所述含荧光体的硅酮薄层的硅酮组合物以(A)-(C)为主成分:

(A)1分子中具有2个以上烯基的硅酮聚合物、

(B)为使(A)成分固化而具有充分数量的SiH基的有机氢硅氧烷、

(C)荧光体,

且不含成为所述(A)成分和所述(B)成分的反应的催化剂的化合物,

在基材侧含有成为硅酮聚合物的固化催化剂的化合物,

在将所述基材成形后或成形的同时,在所述基材表面形成所述含荧光体的硅酮组合物的薄层,然后使所述基材与含荧光体的硅酮组合物的薄层同时进行加热固化。

9.根据权利要求8所述的含荧光体的识别物体的制造方法,其中,

形成所述含荧光体的硅酮薄层的硅酮组合物还含有作为(D)成分的使烯基和SiH基的加成反应延迟的化合物。

10.根据权利要求8所述的含荧光体的识别物体的制造方法,其中,

所述基材通过硅氢化反应固化、或通过过氧化物固化。

11.根据权利要求8所述的含荧光体的识别物体的制造方法,其中,

在所述基材表面形成所述含荧光体的硅酮组合物的薄层的方法是如下所述的方法,即,

将所述含荧光体的硅酮组合物涂布到保护膜,形成含荧光体的硅酮组合物的薄层,使所述荧光体的硅酮组合物的薄层的面压粘到基材表面,或者,在所述基材表面涂布含荧光体的硅酮组合物而形成。

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