[发明专利]微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备

说明书

本发明公开了一种微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备。该用于修复微发光二极管缺陷的方法包括：获取接收衬底上的微发光二极管缺陷图案；在激光透明的修复载体衬底(707)上形成对应于缺陷图案的微发光二极管(703b)；使修复载体衬底(707)上的微发光二极管(703b)与接收衬底上的缺陷位置对准，并使微发光二极管(703b)与缺陷位置处的接垫接触；以及从修复载体衬底侧用激光照射修复载体衬底，以从修复载体衬底(707)剥离微发光二极管。

技术领域

本发明涉及用于显示的微发光二极管，更具体地，涉及一种用于修复微发光二极管缺陷的方法、一种用于制造微发光二极管装置的方法、一种微发光二极管装置以及一种包含微发光二极管装置的电子设备。

背景技术

微发光二极管(Micro LED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列。目前，微发光二极管技术正开始发展，工业界正期待有高品质的微发光二极管产品进入市场。高品质微发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。

在制造微发光二极管的过程中，首先在施主晶圆上形成微发光二极管，接着将微发光二极管转移到接受衬底上。接受衬底例如是显示屏。

在制造微发光二极管过程中的一个困难在于如何将微发光二极管从施主晶圆上转移到接受衬底上。在现有技术中，一般通过静电拾取的方式来执行所述转移。在静电拾取的过程中需要使用转移头阵列。转移头阵列的结构相对复杂，并需要考虑它的可靠性。制造转移头阵列需要额外的成本。在利用转移头阵列的拾取之前需要产生相位改变。另外，在使用转移头阵列的制造过程中，微发光二极管用于相位改变的热预算受到限制，通常小于350℃，或者更具体地，小于200℃；否则，微发光二极管的性能会劣化。在使用转移头阵列的制造过程中通常需要两次转移，即，从施主晶圆到承载晶圆的转移以及从承载晶圆到接受衬底的转移。

美国专利US 8,333,860B1公开了一种用于传送微器件的传送头阵列，其中通过向传送头中的电极施加电压来拾取微器件。该专利在此全部引入作为参考。

美国专利US 8,426,227B1公开了一种用于形成微发光二极管阵列的方法，其中，使用传送头来将微发光二极管阵列转移到接受衬底上。该专利在此全部引入作为参考。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种用于修复微发光二极管缺陷的新技术方案。

根据本发明的一个实施例，提供了一种用于修复微发光二极管缺陷的方法，包括：获取接收衬底上的微发光二极管缺陷图案；在激光透明的修复载体衬底上形成对应于缺陷图案的微发光二极管；使修复载体衬底上的微发光二极管与接收衬底上的缺陷位置对准，并使其与缺陷位置处的接垫接触；以及从修复载体衬底侧用激光照射修复载体衬底，以从修复载体衬底剥离微发光二极管。

优选地，形成对应于缺陷图案的微发光二极管的步骤包括：以缺陷图案将微发光二极管安装到临时衬底上；以及将临时衬底上的微发光二极管转移到修复载体衬底上。

优选地，在临时衬底上涂覆有粘合剂，以及将微发光二极管安装到临时衬底上的步骤包括：使得激光透明的原始衬底上的微发光二极管与粘合剂接触；按照缺陷图案，用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管；以及通过部分粘合剂释放，将按照缺陷图案的经剥离的微发光二极管保留在临时衬底上，而释放未剥离的微发光二极管。

优选地，将临时衬底上的微发光二极管转移到修复载体衬底上的步骤包括：将临时衬底上的微发光二极管键合到修复载体衬底；以及通过完全粘合剂释放，将微发光二极管从临时衬底剥离。

优选地，临时衬底上的微发光二极管通过聚合物薄膜被键合到修复载体衬底，以及在将微发光二极管从临时衬底剥离之后去除聚合物薄膜的至少一部分。

优选地，所述粘合剂是紫外线照射胶带，以及所述临时衬底是PET板。