[发明专利]陶瓷板与金属制圆筒部件的接合结构

说明书

半导体制造装置用部件具备作为AlN制陶瓷板的基座10和与基座10接合的气体导入管20。在基座10中与气体导入管20的凸缘22相对的位置上，形成有环状的管接合用倾斜部14。此外，在凸缘22与管接合用倾斜部14之间，形成有管钎焊部24。凸缘22的宽度为3mm以上，厚度为0.5mm以上2mm以下。管接合用倾斜部14的高度优选为0.5mm以上，与凸缘22的外缘相对置的角的倒角在为C倒角时优选为C0.3以上，在为R倒角时优选为R0.3以上。

技术领域

本发明涉及陶瓷板与金属制圆筒部件的接合结构。

背景技术

静电卡盘作为用于吸附晶片并在半导体制造工艺中控制晶片温度的保持部件而使用。作为这样的静电卡盘，已知有从设有气体导入孔的圆板状陶瓷板的背面侧接合金属制气体导入管，向晶片的吸附面供给He气等，使导热性提高的静电卡盘(例如专利文献1)。

另外，作为陶瓷板与金属制气体导入管的接合方法，已知有如图7所示那样，在陶瓷板110和气体导入管120之间填充钎料，并且将钎料从气体导入管120的侧面涂布至静电卡盘的背面，进行钎焊的方法(例如专利文献2)。钎焊后，钎料成为圆角状的钎焊部124。在陶瓷板110与气体导入管120之间产生由热膨胀差导致的应力，为了尽量减小该应力，用具有与陶瓷板110相近的热膨胀系数的金属来形成气体导入管120。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-297103号公报

专利文献2：日本特开2000-219578号公报(图3)

发明内容

发明所要解决的问题

然而，图7的接合结构中，即使用具有与陶瓷板110相近的热膨胀系数的金属来形成气体导入管120，若在使用静电卡盘时施加热循环，则有时也会产生接合部的剥离。其原因在于，气体导入管120、钎焊部124在冷却时比陶瓷板110收缩得更大。因此，有时仅反复数次热循环就在陶瓷板110产生裂纹，无法维持气密性而从气体导入孔产生泄漏。另一方面，在陶瓷板110的背面，除了气体导入管120以外，有时还钎焊有直径比陶瓷板110略小的金属制的环(未图示)，在该环与陶瓷板110的接合部，也存在如上述那样产生裂纹而无法维持气密性这样的问题。

本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于，在陶瓷板与金属制圆筒部件的接合结构中提高对热循环的耐久性。

用于解决课题的方法

本发明的接合结构是陶瓷板与金属制圆筒部件的接合结构，其具备：

形成于所述圆筒部件的端部的凸缘、

设置于所述陶瓷板中与所述凸缘相对置的位置的环状的倾斜部、以及

形成于所述凸缘与所述倾斜部之间的钎焊部，

所述凸缘的宽度为3mm以上，厚度为0.5mm以上2mm以下，

所述倾斜部中，与所述凸缘的外缘相对置的角的倒角为C倒角或R倒角。

该接合结构中，圆筒部件的凸缘与陶瓷板的环状的倾斜部通过钎焊部接合。此外，凸缘的大小、厚度在恰当的数值范围内，倾斜部中，与凸缘的外缘相对置的角的倒角为C倒角或R倒角。因此，能够用倾斜部的侧面承受由圆筒部件与陶瓷板的热膨胀差导致的应力，成为抗应力强的结构。此外，接合面积增大，密封距离变长。因此，即使对具有这样的接合结构的接合体反复进行热循环，也能够抑制在接合部分产生裂纹。据此，根据这样的接合结构，对热循环的耐久性提高。

本发明的接合结构中，所述倾斜部的高度优选为0.5mm以上。这样，对热循环的耐久性进一步提高。