[发明专利]具有可编程电源路径的无线电源接收器有效

专利信息
申请号: 201580001291.9 申请日: 2015-01-08
公开(公告)号: CN105379137B 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: 颜永智;帕特里克·史丹利·里尔;哈斯南·阿克拉姆;阿南德·萨慕斯 申请(专利权)人: 联发科技(新加坡)私人有限公司
主分类号: H04B5/00 分类号: H04B5/00;H04B5/02;H02J7/00
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 代理人: 何青瓦
地址: 新加坡138628*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 可编程 电源 路径 无线 接收器
【说明书】:

相关申请的交叉引用

根据35U.S.C.§119,本申请要求如下申请的优先权:2014年1月8日递交的申请号为61/924,762,标题为「Wireless Power Receiver with Programmable Power Path Mode」的美国临时案,在此合并参考上述申请案的全部内容。

技术领域

发明通常涉及无线电源(Wireless power,WP),更特别地,涉及具有可编程(programmable)电源路径模式的无线电源接收器。

背景技术

无线电源传输系统(wireless power transfer system)利用两个磁性线圈之间的互感通过磁性感应传输功率(power)。在接收器侧,通常,接收线圈(receiver coil)连接至桥式整流器(bridge rectifier),该桥式整流器之后跟随着一稳压器(regulator)。桥式整流器将交流电信号(AC power signal)转换为直流电源(DC power supply),以及,稳压器将该直流电源调整至用于后续电路(如电池充电器)的合适的电压电平。无线电源系统通常分为感应(inductive)式或共振(resonant)式。在感应式无线电源系统中,无线发射器(wireless transmitter)和接收器(receiver)像紧密耦合的变压器(tightly coupling transformer)一样操作,以传送能量。感应式中的限制使得它仅适用于同时给单个接收器(single receiver)充电。另一方面,在共振式无线电源系统中,功率传送是通过松耦合线圈对(loosely coupled coil pairs)以及利用电气共振来提高系统效率。接收器的数量可以增加且可以在相同领域中充电。

在无线电源接收器侧,电压调整(voltage regulation)用来将整流电压(rectifier voltage)降压(step-down)至用于后续的充电器电路的合适电压。在感应式的单个接收器无线电源系统中,此调整可以是低压差稳压器(Low dropout regulator,LDO)。LDO的效率由其输出输入比(output-to-input ratio)限定(define)。在单个接收器无线系统中,LDO的输入电压(该整流电压)可以被控制到非常接近于其输出电压,以及获得更高的功率效率(power efficiency)。功率控制是通过带内(in band)或带外(out-of-band)通信从接收器发送功率控制消息至发射器。

在共振式无线电源系统中,由于每个接收器具有不同耦合因子(coupling factor)的线圈,因此,多个接收器不可能控制所有的整流电压都接近于目标充电电压。因此,该整流电压会远远高于稳压器的输出,这使得通过LDO的功率传输非常低效。因此,当电压降压比较大(large)时,为了更好的效率,应用开关式稳压器(SMPS)。

近年来,快速充电对于智能手机和平板应用越来越重要。越来越多的产品采用具有较大的充电电流(例如,>1A)来减小充电时间,这些产品已经在消费市场中推出。在快速充电中,充电器电路可以在比稳定电压(例如,~5V)更高的输入电压(例如,~20V)上充电。因此,通过电源开关(power switch,PSW),无线电源接收器可以将整流器的输出直接连接至快速充电的充电器。该电源开关用以控制一些无线电源标准所需要的无线充电的启动/停止(start/stop)。

在旨在支持具有快速充电功能的电感式和共振式的多模式(multi-mode)无线接收器的集成电路(integrated circuit,IC)中,这需要较大的芯片面积来分别实现LDO、SMPS和PSW的导通器件(pass device),以及,使得该集成电路的实现成本很高。一种更具成本效益的方法是通过共享相同的导通器件来实现上述LDO、SMPS和PSW。此外,为了实现高功率传输效率的性能,使用NMOS(N-channel metal oxide semiconductor,N沟道金属氧化物半导体)型场效应管(Field Effect Transistor,FET)作为它的导通器件比PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor,P沟道金属氧化物半导体)型场效应管导通器件具有更好的效率和更小的芯片面积。

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