[发明专利]透明导电性膜及其制造方法

权利要求书

1.一种透明导电性膜，是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，

所述透明导电层中的氩原子的存在原子量大于0.05原子％且为0.24原子％以下，

所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为0.001×10²⁰原子/cm³以上且为13×10²⁰原子/cm³以下，

所述透明导电层的电阻率为1.1×10^-4Ω·cm以上且2.8×10^-4Ω·cm以下。

2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其中，

所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为10.5×10²⁰原子/cm³以下。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，其中，

所述透明导电层为铟-锡复合氧化物层。

4.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，其中，

所述透明导电层为结晶质。

5.根据权利要求3所述的透明导电性膜，其中，

所述铟-锡复合氧化物层中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量为0.5重量％～15重量％。

6.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，其中，

所述透明导电层具有层叠了多个铟-锡复合氧化物层的结构，

在所述多个铟-锡复合氧化物层中的至少2层中锡的存在量彼此不同。

7.根据权利要求6所述的透明导电性膜，其中，

所述铟-锡复合氧化物层全都是结晶质。

8.根据权利要求6所述的透明导电性膜，其中，

所述透明导电层从所述高分子膜基材侧起依次具有第一铟-锡复合氧化物层及第二铟-锡复合氧化物层，

所述第一铟-锡复合氧化物层中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量为6重量％～15重量％，

所述第二铟-锡复合氧化物层中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量为0.5重量％～5.5重量％。

9.根据权利要求7所述的透明导电性膜，其中，

所述透明导电层从所述高分子膜基材侧起依次具有第一铟-锡复合氧化物层及第二铟-锡复合氧化物层，

所述第一铟-锡复合氧化物层中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量为6重量％～15重量％，

所述第二铟-锡复合氧化物层中的氧化锡的含量相对于氧化锡及氧化铟的合计量为0.5重量％～5.5重量％。

10.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，其中，

在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用湿式涂布法形成的有机底涂层。

11.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，其中，

在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层。

12.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，其中，

在所述高分子膜的至少一个面侧，依次具备：

利用湿式涂布法形成的有机底涂层、

利用真空成膜法形成的无机底涂层、以及

所述透明导电层。

13.一种透明导电性膜的制造方法，是权利要求1～12中任一项所述的透明导电性膜的制造方法，

包括：

工序A，将高分子膜基材放置在极限真空度为3.5×10^-4Pa以下的真空下；以及

工序B，在所述高分子膜基材的至少一个面侧，使用含有氩的溅射气体，利用将放电电压设为100V以上且400V以下的溅射法形成透明导电层。