[发明专利]固态成像装置和电子设备有效

专利信息
申请号: 201580001823.9 申请日: 2015-08-14
公开(公告)号: CN105580138B 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 桝田佳明;佐藤尚之 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H04N5/369
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固态 成像 装置 电子设备
【说明书】:

本发明涉及一种被设计成减少每个相位差检测像素的遮光层的侧壁面处的入射光的反射的固态成像装置以及一种电子设备。根据本发明的一个方面的固态成像装置包括:普通像素,其生成像素信号;以及相位差检测像素,其生成用于像平面相位差AF的相位差信号。在该固态成像装置中,普通像素以及相位差检测像素均包括光电转换层和将入射光聚集至光电转换层上的透镜;相位差检测像素包括具有开口部的遮光层,所述开口部具有相对于透镜的光轴偏离的开口;并且在遮光层上形成防止由透镜聚集的入射光的反射的防反射部。本发明可以应用于背面照射型CIS。

技术领域

本发明涉及一种固态成像装置和一种电子设备。更具体地,本发明涉及一种优选地在除用于获取像素信号的普通像素之外还设置有用于实现像平面相位差自动聚焦(AF:automatic focus)功能的相位差检测像素的情况下使用的固态成像装置以及一种电子设备。

背景技术

像平面相位差AF被称为AF方法(例如,参见专利文献1)。在实现像平面相位差AF的固态成像元件中,除用于获取像素信号的普通像素之外,还在预定位置处设置有用于将入射光光瞳分割(pupil division)的相位差检测像素。

图1是示出了设置有相位差检测像素的背面照射型CMOS图像传感器(CIS:CMOSImage Sensor)的示例传统结构的截面框图。在该图中,左侧为相位差检测像素11,且右侧为普通像素12。

相位差检测像素11和普通像素12从上部层侧(光入射表面侧)起均依次包括片上透镜21、防反射层24、光电转换层25和互连层26。

在相位差检测像素11中,在片上透镜21和防反射层24之间形成有具有开口部22a的遮光层22,该开口部是相对于片上透镜21的光轴偏离的开口。

同时,在普通像素12中,在片上透镜21和防反射层24之间设置有彩色滤光片23。彩色滤光片23也可以设置在相位差检测像素11中。

在理想情况下,如图1所示,在相位差检测像素11中,应当被遮挡的入射光会被遮光层22完全遮挡,并且应当被接收的入射光优选地通过开口部22a进入光电转换层25。

引用列表

专利文献

专利文献1:日本专利申请特开第2013-157622号

发明内容

技术问题

然而,实际上,如图2所示,会存在被遮光层22的侧壁面22b反射的入射光。当反射光(例如入射光L1的反射光)进入相位差检测像素11的光电转换层25时,相位差检测性能会变差。当反射光(例如入射光L2的反射光)进入相邻普通像素12的光电转换层25时,会导致混色。

与表面照射型CIS相比,在背面照射型CIS 10中,上述相位差检测像素11的遮光层22的侧壁面22b处的入射光的反射更加明显。为了便于比较,下面将对表面照射型CIS的示例结构进行说明。

图3是示出了设置有相位差检测像素的表面照射型CIS的示例传统结构的截面框图。在该图中,左侧为相位差检测像素31,且右侧为普通像素32。

相位差检测像素31和普通像素32从上部层侧(光入射面侧)起均依次包括片上透镜33、互连层35、防反射层37和光电转换层38。

在相位差检测像素31中,在互连层35中设置有具有开口部36a的遮光层36,该开口部的开口相对于片上透镜33的光轴偏离。同时,在普通像素32中,在片上透镜33和互连层35之间设置有彩色滤光片34。彩色滤光片34也可以设置在相位差检测像素31中。

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