[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第1开关元件及第2开关元件；

第1二极管及第2二极管；

安装所述第1开关元件及所述第1二极管的第1电路板；

安装所述第2开关元件及所述第2二极管的第2电路板；

与所述第1电路板及所述第2电路板相对配置且具有金属层的印刷基板；以及

在所述第1开关元件、所述第2开关元件、所述第1二极管、所述第2二极管、所述第1电路板或所述第2电路板与所述印刷基板的所述金属层之间进行电连接的多个导电柱，

所述第1开关元件与所述第1二极管反向并联连接，

所述第2开关元件与所述第2二极管反向并联连接，

所述第1开关元件与所述第2开关元件经由所述导电柱、所述金属层和所述第1电路板或所述第2电路板反向地串联连接，从而构成双向开关。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

多个外部端子；以及

多个第3电路板，该多个第3电路板连接了所述外部端子中一个以上的外部端子和所述导电柱中一个以上的导电柱。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1电路板及所述第2电路板以沿所述第1电路板及所述第2电路板的排列方向延伸的中心线为轴呈线对称的形状，

所述第3电路板分别排列配置在相对于所述中心线呈线对称的位置上，

在所述第3电路板上连接了与所述第1开关元件、所述第2开关元件、所述第1二极管或所述第2二极管相同电位的所述外部端子。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1开关元件及所述第2开关元件为IGBT。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

安装在所述第1电路板上的所述IGBT的集电极与安装在所述第2电路板上的所述IGBT的集电极之间进行电连接。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

安装在所述第1电路板上的所述IGBT的发射极与安装在所述第2电路板上的所述IGBT的发射极之间进行电连接。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1开关元件及所述第2开关元件为功率MOSFET。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

安装在所述第1电路板上的所述功率MOSFET的漏极与安装在所述第2电路板上的所述功率MOSFET的漏极之间进行电连接。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

安装在所述第1电路板上的所述功率MOSFET的源极与安装在所述第2电路板上的所述功率MOSFET的源极之间进行电连接。

10.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1电路板设置于第1绝缘基板，所述第2电路板设置于第2绝缘基板。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1绝缘基板在与设置所述第1电路板的面相反侧的面上具备金属板，

所述第2绝缘基板在与设置所述第2电路板的面相反侧的面上具备金属板。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

用长方体形状的树脂覆盖所述第1电路板、所述第2电路板、所述第1开关元件、所述第2开关元件、所述第1二极管、所述第2二极管、所述导电柱及所述印刷基板，

所述外部端子从所述长方体的树脂向相同方向突出并配置在所述长方体的长边方向上。