[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法有效
申请号: | 201580002735.0 | 申请日: | 2015-01-26 |
公开(公告)号: | CN105793988B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改善 切割 性能 图像传感器 制造 装置 方法 | ||
1.一种图像传感器,包括:
基板;
叠置在所述基板上的多个层;
所述多个层包括光电二极管层,多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上;
所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层,使得所述至少一个层的一部分被挖掘;和
形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层,
其中,所述图像传感器还包括形成在所述凹槽中的疏水膜。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述凹槽的宽度大于划线刀片的宽度。
3.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述凹槽包括所述光电二极管层的一部分,所述光电二极管层的该部分被挖掘。
4.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述凹槽包括所述基板的一部分,所述基板的该部分被挖掘。
5.如权利要求1所述的图像传感器,还包括形成在所述凹槽中的钝化膜。
6.如权利要求5所述的图像传感器,还包括形成在所述光电二极管层上方的微透镜层,其中所述钝化膜形成在所述微透镜层上。
7.如权利要求1所述的图像传感器,还包括形成在所述透明树脂层中的肋部。
8.如权利要求7所述的图像传感器,还包括形成在所述凹槽和所述肋部中的钝化膜。
9.如权利要求1所述的图像传感器,还包括第一和第二贯通电极,其中第一和第二贯通电极均具有侧壁保护部,和其中所述凹槽包括所述侧壁保护部的至少一部分。
10.如权利要求9所述的图像传感器,还包括填充所述凹槽的第二贯通电极的材料。
11.如权利要求1所述的图像传感器,还包括:
形成在所述光电二极管层上方的透明树脂层;
形成在所述透明树脂层上的透明元件;和
形成在所述凹槽中的防湿膜;
其中所述凹槽包括所述透明元件的层的被挖掘部。
12.如权利要求1所述的图像传感器,还包括:
形成在所述光电二极管层上方的透明树脂层;和
形成在所述透明树脂层上的透明元件;
其中所述凹槽延伸到所述基板的底面,所述透明元件覆盖所述凹槽的侧面,并且所述透明树脂层形成在所述透明元件和所述基板的侧面之间。
13.一种图像传感器,包括:
叠置的多个层;
所述多个层包括光电二极管层,多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上;
形成在所述光电二极管层上方的透明树脂层;
形成在所述透明树脂层中的肋部;和
形成在所述肋部的底面以及所述肋部和所述透明树脂之间的防湿膜。
14.如权利要求13所述的图像传感器,还包括形成在所述透明树脂层上的透明元件,其中所述防湿膜形成在所述透明元件和所述透明树脂层之间。
15.如权利要求13所述的图像传感器,其中所述防湿膜包括叠置的折射率不同的多个膜。
16.如权利要求13所述的图像传感器,其中所述肋部是吸收特定光的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的