[发明专利]吸具在审
申请号: | 201580003066.9 | 申请日: | 2015-05-26 |
公开(公告)号: | CN107078076A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 赖少寧;陈建力 | 申请(专利权)人: | 立德微精密私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B25J15/06;H01L21/52 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙)11311 | 代理人: | 田明,任晓航 |
地址: | 马来西*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸具 | ||
技术领域
本发明涉及一种吸具,附着在晶片输送杆末端,更具体的说,是一种运输晶片效率更高的吸具。
背景技术
贴片是晶片(或芯片)附着在封装或基板上的工艺过程。所述工艺由晶片输送工具的杆来完成,包括如下步骤:使用顶杆(针)将晶片从粘性带(例如聚酯薄膜)上分离;使用真空吸附用所述杆将晶片从晶圆上捡起;在输送过程中牢固握住晶片直到一个已经放置了焊锡膏的点;通过撤销所述真空吸附以释放所述晶片到所述点上。
为了防止任何对晶片的不利影响,将一个吸具吸附在所述杆的末端。所述吸具通常由三种材料制造,分别是硬质合金,聚酰亚胺基塑料,丁腈橡胶(以下称为NBR)。
由于硬质合金硬度很高,硬质合金吸具很难制造。这类吸具通过研磨法和放电加工的工艺成型,因此制造成本非常高。再者,高硬度会导致在晶片表面形成斑点、划痕、或裂缝。
聚酰亚胺基塑料,尤其是商标为Vespel的,是一种半软材料,容易制造并用于所述杆。虽然有这些优势,但这种塑料是一种专有材料,因此相比其他材料更加昂贵。
NBR可以以较为低廉的成本模型制成。但是,这种材料具有相对短的生命周期。并且它对于晶片来说粘性大,容易导致丢失晶片或产品损失。
发明内容
根据本发明,以上不足可以通过以下方案来克服和提高:一种吸具,用于附着晶片输送杆的末端,包括:本体,其中心具有一个穿透孔;所述孔包括3个部分;第一部分靠近本体的近端,其形状容纳杆的末端部分;第二部分靠近第一部分,并将第一部分和第三部分连接在一起;所述第三部分朝向本体的末端打开;插入件,在其中心具有穿透孔,以插入第三部分;所述穿透孔的直径小于第二部分的直径;本体和插入件的末端为截头圆锥形状,其中平面末端插入部分伸出本体的末端之外。
优选的,所述第二部分为圆形。
更有利的,所述第三部分为圆形。
优选的,所述插入件为圆柱体。
更有利的,所述插入件的末端为圆形,矩形,或正方形。
优选的,所述孔还包括第四部分,其面向本体的近端开口,并以喇叭状朝向近端延伸,以利于接收杆末端上的突出部。
更有利的,所述第一部分和第四部分是矩形的。
优选的,第二部分的直径小于第三部分的直径;第二部分和第三部分接触的边缘处形成了一个台阶,以阻止插入件穿过第二部分。
更有利的,所述本体由橡胶制成。
优选的,所述插入件由树脂或塑料制成,能够抗静电并且强度大于本体。
更有利的,所述插入件由聚甲醛树脂制成。
本发明还提供一种吸具的制造方法,所述吸具用于附着晶片输送杆的末端,包括如下步骤:通过压铸方法制造多个吸具坯;使用研磨机制造多个插入件;将所述插入件插入所述坯的末端的中心孔内;通过旋转挤压将坯和插入件的末端装配进孔,形成截头圆锥形状,使得平面末端插入部分伸出本体的末端之外。
优选的,所述方法也包括以下步骤:将所述末端插入部分切割成圆形,矩形或正方形。
更有利的,压铸方法包括如下步骤:设计包含多个吸具坯的模具,所述模具包括一个公单元和一个母单元;加热基板;将所述基板压缩在公单元和母单元之间;释放上述两个单元并移除压缩的基板;偏折所述基板以将坯从基板上一一分割。
优选的,制造多个插入件包括如下步骤:将基板切成多个插入件;每个插入件的中心钻孔;将插入件从基板上一一分割。
更有利的,所述坯由橡胶制造。
优选的,所述插入件由树脂或塑料制成,能够抗静电并且硬度大于坯。
更有利的,所述插入件由聚甲醛树脂制成。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的描述。
图1为根据本发明的吸具坯的透视图;
图2为上述坯的俯视图;
图3为根据本发明的吸具坯的透视图和插入所述坯中间孔之前的插入件示意图;
图4为上述坯和插入件的侧视图;
图5为本发明的吸具坯的透视图和插入所述坯中间孔之前的带凸缘的插入件示意图;
图6为上述坯和带凸缘插入件的侧视图;
图7为根据本发明的吸具的一种形式的透视图;
图8为吸具的另一种形式透视图;
图9为晶片输送杆和上述坯以及插入件的末端对接侧视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造