[发明专利]具有分离沟道的漏极延伸的MOS晶体管有效
| 申请号： | 201580003146.4 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105830214B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 范卡特拉曼·普拉哈卡;伊葛·葛兹尼索夫 | 申请（专利权）人： | 经度快闪存储解决方案有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 分离 沟道 延伸 mos 晶体管 | ||
【说明书】：
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