[发明专利]透明导电膜及其制造方法

权利要求书

1.一种透明导电膜，其为在透明膜基板上具有非晶质的透明电极层的透明导电膜，

所述透明电极层由铟·锡复合氧化物构成，氧化锡的含量为3～12质量％，膜厚为15～30nm，

所述透明电极层中，通过X射线光电子能谱测定求出的锡3d_5/2的结合能E_Sn和铟3d_5/2的结合能E_In在下述分析范围中满足下述(1)和(2)：

分析范围：在包含40原子％以上铟的区域中，除去膜厚方向上的与透明电极层的表面的距离d为0～3nm的区域后的区域；

(1)所述结合能E_Sn与所述结合能E_In的结合能差E_Sn－E_In的最小值E_min与所述结合能差E_Sn－E_In的最大值E_max相比，存在于透明电极层的表面侧；

(2)所述最大值E_max与所述最小值E_min之差E_max－E_min为0.1eV以上。

2.如权利要求1所述的透明导电膜，其中，在所述分析范围中，通过最小二乘法对以所述结合能差E_Sn－E_In为纵轴、以所述距离d为横轴的标绘点进行近似而得到的直线的斜率为0.005eV/nm以上。

3.如权利要求1或2所述的透明导电膜，其中，在所述分析范围中，所述结合能差E_Sn－E_In的最大值E_max为41.92eV以上。

4.如权利要求1或2所述的透明导电膜，其中，在所述分析范围中，所述结合能差E_Sn－E_In的最小值E_min为41.95eV以下。

5.如权利要求3所述的透明导电膜，其中，在所述分析范围中，所述结合能差E_Sn－E_In的最小值E_min为41.95eV以下。

6.如权利要求1或2所述的透明导电膜，其中，在140℃加热30分钟后的所述透明电极层的电阻率为3.2×10^-4Ωcm以下。

7.如权利要求3所述的透明导电膜，其中，在140℃加热30分钟后的所述透明电极层的电阻率为3.2×10^-4Ωcm以下。

8.如权利要求4所述的透明导电膜，其中，在140℃加热30分钟后的所述透明电极层的电阻率为3.2×10^-4Ωcm以下。

9.如权利要求5所述的透明导电膜，其中，在140℃加热30分钟后的所述透明电极层的电阻率为3.2×10^-4Ωcm以下。

10.一种透明导电膜的制造方法，其为权利要求1～9中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其中，

非晶质的透明电极层在具有第1条件和第2条件的2阶段以上的制膜条件下进行制膜，

第1条件：在透明膜基板上对第1电极层进行制膜，

第2条件：在所述第1电极层上对第2电极层进行制膜，

所述第1电极层的膜厚为1～4nm。

11.如权利要求10所述的透明导电膜的制造方法，其中，对所述第1电极层进行制膜时的氧分压大于对所述第2电极层进行制膜时的氧分压。

12.如权利要求10或11所述的透明导电膜的制造方法，其中，对所述第1电极层进行制膜时的电功率小于对所述第2电极层进行制膜时的电功率。

13.如权利要求10或11所述的透明导电膜的制造方法，其中，对所述第1电极层进行制膜时使用的靶材的氧化锡含量与对所述第2电极层进行制膜时使用的靶材的氧化锡含量相同。

14.如权利要求12所述的透明导电膜的制造方法，其中，对所述第1电极层进行制膜时使用的靶材的氧化锡含量与对所述第2电极层进行制膜时使用的靶材的氧化锡含量相同。