[发明专利]氮氧化物荧光体粉末及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201580006843.5 申请日: 2015-02-02
公开(公告)号: CN105980524B 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 隅野真央;上田孝之;岩下和树;藤永昌孝;治田慎辅 申请(专利权)人: 宇部兴产株式会社
主分类号: C09K11/08 分类号: C09K11/08;C09K11/64;H01L33/50
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 何杨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 氧化物 荧光 粉末 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.氮氧化物荧光体粉末的制造方法,其特征在于,包括:将氮化硅粉末、成为铝源的物质、成为钙源的物质和成为铕源的物质混合,在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1500~2000℃烧成,获得作为中间物的、不含Li的含Ca的α型塞隆为主成分的氮氧化物荧光体烧成物后,将该氮氧化物荧光体烧成物进一步在存在Li的条件下在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1450℃~低于所述烧成温度的温度进行热处理,从而获得氮氧化物荧光体粉末,其包含含Ca的α型塞隆和氮化铝、还含有50~10000ppm的Li、表面Li量为50%以上,

所述含Ca的α型塞隆和氮化铝的组成式用Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z表示,其中,式中,1.11≤x1+x2≤3.34、0.01≤x2/x1<0.18、2.4≤y≤7.3、0≤z≤1.5。

2.氮氧化物荧光体粉末,其为通过以下所获得的包含含Ca的α型塞隆和氮化铝、还含有50~10000ppm的Li、表面Li量为50%以上的氮氧化物荧光体粉末:将氮化硅粉末、成为铝源的物质、成为钙源的物质和成为铕源的物质混合,在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1500~2000℃烧成,获得作为中间物的、不含Li的含Ca的α型塞隆为主成分的氮氧化物荧光体烧成物后,将该氮氧化物荧光体烧成物进一步在存在Li的条件下在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1450℃~低于所述烧成温度的温度进行热处理,从而获得,

所述含Ca的α型塞隆和氮化铝的组成式用Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z表示,其中,式中,1.11≤x1+x2≤3.34、0.01≤x2/x1<0.18、2.4≤y≤7.3、0≤z≤1.5。

3.氮氧化物荧光体粉末,其包含含Ca的α型塞隆和氮化铝,还含有50~10000ppm的Li,表面Li量为50%以上,

所述含Ca的α型塞隆和氮化铝的组成式用Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z表示,其中,式中,1.11≤x1+x2≤3.34、0.01≤x2/x1<0.18、2.4≤y≤7.3、0≤z≤1.5。

4.根据权利要求2或3所述的氮氧化物荧光体粉末,其特征在于,氮化铝的含量在大于0质量%且小于36质量%的范围内。

5.根据权利要求2~4中任一项所述的氮氧化物荧光体粉末,通过被波长450nm的光激发而发出峰波长处于605nm~630nm的波长区域的荧光,此时的外部量子效率为50%以上。

6.氮氧化物荧光体粉末,其为通过以下所获得的包含含Ca的α型塞隆和氮化铝、还含有50~10000ppm的Li、表面Li量为50%以上的氮氧化物荧光体粉末:将氮化硅粉末、成为铝源的物质、成为钙源的物质和成为铕源的物质混合,在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1500~2000℃烧成,获得作为中间物的、包含不含有Li的含Ca的α型塞隆和氮化铝的氮氧化物荧光体烧成物后,将该氮氧化物荧光体烧成物进一步在存在Li的条件下在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1450℃~低于所述烧成温度的温度进行热处理,从而获得,

所述氮氧化物荧光体粉末的所述含Ca的α型塞隆和氮化铝的组成式用Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z表示,其中,式中,1.11≤x1+x2≤3.34、0.01≤x2/x1<0.18、2.4≤y≤7.3、0≤z≤1.5。

7.发光装置,其使用了权利要求2~6中任一项所述的氮氧化物荧光体粉末。

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