[发明专利]光电转换元件和具备该光电转换元件的太阳能电池模块

权利要求书

1.一种光电转换元件，具备硅基板，所述光电转换元件的特征在于，

所述硅基板包括中心区域以及配置于在所述硅基板的面内方向上比所述中心区域更靠外侧的位置的端部区域，所述中心区域为由具有与所述硅基板的中心点相同的中心点、并且将所述硅基板的四边中最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域；所述端部区域是从所述硅基板的端部起5mm以内的区域；

所述端部区域的厚度比所述中心区域的厚度薄，

所述端部区域的平均面粗糙度比所述中心区域的平均面粗糙度小。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，还具备：

第1非晶态半导体层，与所述硅基板的一个表面相接地配置，实质上具有i型的导电类型；

第2非晶态半导体层，与所述第1非晶态半导体层相接地配置在所述第1非晶态半导体层上，具有第1导电类型；

第3非晶态半导体层，与所述硅基板的一个表面的相反侧的表面相接地配置，实质上具有i型的导电类型；以及

第4非晶态半导体层，与所述第3非晶态半导体层相接地配置在所述第3非晶态半导体层上，具有与所述第1导电类型相反的第2导电类型。

3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，还具备：

第1非晶态半导体层，与所述硅基板的受光面相接地配置；

第2非晶态半导体层，与所述硅基板的受光面的相反侧的表面相接地配置，实质上具有i型的导电类型；

第3非晶态半导体层，与所述硅基板的受光面的相反侧的表面相接地配置，并且在所述硅基板的面内方向上与所述第2非晶态半导体层相邻地配置，实质上具有i型的导电类型；

第4非晶态半导体层，与所述第2非晶态半导体层相接地配置在所述第2非晶态半导体层上，具有与所述硅基板的导电类型相反的导电类型；以及

第5非晶态半导体层，与所述第3非晶态半导体层相接地配置在所述第3非晶态半导体层上，具有与所述硅基板的导电类型相同的导电类型。

4.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，

还具备与所述硅基板的受光面相接地配置的防反射膜，

所述硅基板包括：

第1扩散层，与所述受光面的相反侧的表面相接地配置，具有与所述硅基板的导电类型相反的导电类型；以及

第2扩散层，与所述受光面的相反侧的表面相接地配置，并且在所述硅基板的面内方向上与所述第1扩散层相邻地配置，具有与所述硅基板的导电类型相同的导电类型。

5.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，

还具备与所述硅基板的受光面相接地配置的防反射膜，

所述硅基板包括：

第1扩散层，与所述硅基板的受光面相接地配置，具有与所述硅基板的导电类型相同的导电类型；以及

第2扩散层，与所述硅基板的受光面的相反侧的表面相接地配置，具有与所述硅基板的导电类型相反的导电类型。

6.一种光电转换模块，其特征在于，具备权利要求1至5中的任意一项所述的光电转换元件。

7.一种太阳光发电系统，其特征在于，具备权利要求6所述的光电转换模块。