[发明专利]浆料用氮化硅粉末及其制造方法、离型材用氮化硅粉末浆料及其制造方法、离型材用氮化硅粉末、离型材、以及多结晶硅铸造用铸模及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201580008245.1 申请日: 2015-02-09
公开(公告)号: CN105980299B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 山尾猛;本田道夫;治田慎辅 申请(专利权)人: 宇部兴产株式会社
主分类号: C01B21/068 分类号: C01B21/068;B22C3/00;C01B33/02;C10M103/06;C10N40/36
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司11314 代理人: 程伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 浆料 氮化 粉末 及其 制造 方法 离型材用 离型材 以及 结晶 铸造 铸模
【权利要求书】:

1.一种浆料用氮化硅粉末,其是用于多结晶硅铸造用铸模的离型层形成用浆料的氮化硅粉末,其特征在于:

比表面积为5~50m2/g,非晶质氮化硅的比例为1.0~25.0质量%,含氧量为0.6~2.5质量%。

2.一种离型材用氮化硅粉末浆料,其是将权利要求1所述的浆料用氮化硅粉末与水进行混合而获得。

3.一种离型材用氮化硅粉末,其是将权利要求1所述的浆料用氮化硅粉末与水进行混合而浆料化、其后使该浆料干燥所获得的氮化硅粉末,且

含氧量为0.7~5.0质量%。

4.一种离型材,其是构成形成于多结晶硅铸造用铸模的离型层,其特征在于:

含有权利要求3所述的离型材用氮化硅粉末。

5.一种多结晶硅铸造用铸模,其中,在铸模的内表面形成有由权利要求4所述的离型材所构成的离型层。

6.一种浆料用氮化硅粉末的制造方法,其是制造权利要求1所述的浆料用氮化硅粉末的方法,其中,

在选自不活性气体及还原性气体中的1种以上的气体环境下,使用旋窑炉或者将1100~1400℃的温度范围中的升温速度调整为10~1000℃/小时的批次炉或推式连续炉,对使含氮的硅烷化合物热分解所获得的比表面积为300~800m2/g的非晶质Si-N(-H)系化合物以1200~1400℃进行热分解。

7.一种离型材用氮化硅粉末浆料的制造方法,其是将权利要求1所述的浆料用氮化硅粉末与水进行混合。

8.一种多结晶硅铸造用铸模的制造方法,其具备以下步骤:

浆料形成步骤,其是将权利要求1所述的浆料用氮化硅粉末与水进行混合而形成浆料;

浆料涂布步骤,其是将该浆料涂布于多结晶硅铸造用铸模表面;及

离型层形成步骤,其是使涂布于该铸模表面的该浆料干燥而形成离型层。

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