[发明专利]Si衬底上的Ⅲ‑N半导体层在审
| 申请号： | 201580008334.6 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN106133914A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 吕蒂斯·达吉斯;安德鲁·克拉克;南·范;埃德姆·阿尔昆 | 申请（专利权）人： | 全斯鲁森特公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/20;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨青;穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | si 衬底 半导体 | ||
【说明书】：
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