[发明专利]具有两个辅助发射极导体路径的半导体模块有效
申请号: | 201580008490.2 | 申请日: | 2015-01-14 |
公开(公告)号: | CN106165095B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | S.哈特曼;D.科泰特;S.基钦 | 申请(专利权)人: | ABB瑞士有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L25/07;H03K17/082;H03K17/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;姜甜 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 两个 辅助 发射极 导体 路径 半导体 模块 | ||
【权利要求书】:
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