[发明专利]抗蚀剂上层膜形成用组合物及使用该组合物的半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580008682.3 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN106030408B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 藤谷德昌;坂本力丸 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08F220/06;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 孙丽梅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 上层 形成 组合 使用 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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