[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜有效
| 申请号： | 201580009757.X | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN106029604B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/34;C23C14/58;H01L21/363 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 溅射 以及 使用 得到 半导体 薄膜 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井金属矿业株式会社，未经三井金属矿业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580009757.X/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
