[发明专利]电子设备

权利要求书

1.电子设备，其为包含保护片材的电子设备，其特征在于，

所述保护片材具备包含基材（X）和层叠在所述基材（X）上的层Y的多层结构体，

所述层Y含有金属氧化物（A）、磷化合物（B）和离子价（F_Z）为1以上且3以下的阳离子（Z），

所述磷化合物（B）是含有能够与所述金属氧化物（A）反应的部位的化合物，

所述层Y中，构成所述金属氧化物（A）的金属原子（M）的摩尔数（N_M）与源自所述磷化合物（B）的磷原子的摩尔数（N_P）满足0.8≤N_M/N_P≤4.5的关系，并且

所述层Y中，所述金属氧化物（A）的金属原子（M）的摩尔数（N_M）与所述阳离子（Z）的摩尔数（N_Z）与所述离子价（F_Z）满足0.001≤F_Z×N_Z/N_M≤0.60的关系。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述阳离子（Z）为选自锂离子、钠离子、钾离子、镁离子、钙离子、钛离子、锆离子、镧系离子、钒离子、锰离子、铁离子、钴离子、镍离子、铜离子、锌离子、硼离子、铝离子和铵离子中的至少1种阳离子。

3.根据权利要求1或2所述的电子设备，其还包含量子点荧光体。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，在包含量子点荧光体的层的单侧或两侧配置有所述保护片材。

5.根据权利要求1或2所述的电子设备，其中，所述层Y中，所述金属氧化物（A）的金属原子（M）的摩尔数（N_M）与所述阳离子（Z）的摩尔数（N_Z）与所述离子价（F_Z）满足0.01≤F_Z×N_Z/N_M≤0.60的关系。

6.根据权利要求1或2所述的电子设备，其中，所述磷化合物（B）为选自磷酸、多磷酸、亚磷酸、膦酸、亚膦酸、次膦酸、三价膦酸和它们的衍生物中的至少1种化合物。

7.根据权利要求1或2所述的电子设备，其中，在所述层Y的红外线吸收光谱中，800~1,400cm^-1的范围内的最大吸收波数处于1,080~1,130cm^-1的范围。

8.根据权利要求1或2所述的电子设备，其中，所述基材（X）包含热塑性树脂膜。

9.根据权利要求1或2所述的电子设备，其中，所述层Y包含聚合物（C），所述聚合物（C）含有选自羰基、羟基、羧基、羧酸酐基和羧基的盐中的至少1种官能团。

10.根据权利要求1或2所述的电子设备，其中，所述多层结构体还包含与所述层Y相邻配置的层W，所述层W包含聚合物（G1），所述聚合物（G1）具有含磷原子的官能团。

11.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，包括如下工序：

通过将金属氧化物（A）、含有能够与所述金属氧化物（A）反应的部位的磷化合物（B）以及离子价（F_Z）为1以上且3以下的阳离子（Z）的离子性化合物（E）进行混合，从而制备第一涂布液（U）的工序〔I〕；

通过在所述基材（X）上涂布所述第一涂布液（U），从而在所述基材（X）上形成所述层Y的前体层的工序〔II〕；以及

将所述前体层以110℃以上的温度进行热处理的工序〔III〕，

所述第一涂布液（U）中，构成所述金属氧化物（A）的金属原子（M）的摩尔数（N_M）与源自所述磷化合物（B）的磷原子的摩尔数（N_P）满足0.8≤N_M/N_P≤4.5的关系，并且

所述第一涂布液（U）中，所述金属氧化物（A）的金属原子（M）的摩尔数（N_M）与所述阳离子（Z）的摩尔数（N_Z）与所述离子价（F_Z）满足0.001≤F_Z×N_Z/N_M≤0.60的关系。