[发明专利]半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201580015094.2 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106104767B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 冈祥文;内山具朗 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C09J7/38;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 工用 胶带 加工 方法 | ||
1.一种半导体晶片加工用胶带，该半导体晶片加工用胶带贴合至表面具有高度为80μm以上的凹凸的半导体晶片而用于对该半导体晶片的背面进行磨削的工序，
该半导体晶片加工用胶带的特征在于，
在由紫外线固化型树脂构成的基材膜上具有粘合剂层，该粘合剂层的厚度为所述半导体晶片表面的凹凸高度的30%～90%，并且，
所述粘合剂层的厚度为所述半导体晶片加工用胶带整体的厚度的25%以下，
关于对所述半导体晶片加工用胶带的厚度方向赋予压缩应力时的应力减少率，测定施加50N的压缩应力时的位移量，由压缩应力达到50N起180秒后的应力值相对于压缩应力达到50N时的应力值之比来计算，该应力减少率为40%以上，
所述基材膜上仅包含粘合剂层，或者所述基材膜上仅包含粘合剂层和锚固层，所述锚固层的厚度为0.5μm～10μm。
2.如权利要求1所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，所述基材膜是使(甲基)丙烯酸酯系树脂和聚氨酯丙烯酸酯系低聚物紫外线固化而得到的。
3.如权利要求1或2所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，所述基材膜的厚度为200μm～350μm，所述粘合剂层的粘合剂为紫外线固化型。
4.如权利要求1或2所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，所述半导体晶片表面的凹凸为电极，在将半导体晶片贴合前的半导体晶片加工用胶带与除表面电极外的半导体晶片厚度的合计值设为A、将半导体晶片贴合后的半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的层积体的总厚度设为B的情况下，A/B为0.95以上。
5.一种半导体晶片的加工方法，该半导体晶片的加工方法使用了贴合至表面具有高度为80μm以上的凹凸的半导体晶片的半导体晶片加工用胶带，
该半导体晶片的加工方法的特征在于，
所述半导体晶片加工用胶带在由紫外线固化型树脂构成的基材膜上具有粘合剂层，该粘合剂层的厚度为半导体晶片加工用胶带整体的厚度的25%以下，
所述粘合剂层的厚度为所述半导体晶片表面的凹凸高度的30%～90%，
关于对所述半导体晶片加工用胶带的厚度方向赋予压缩应力时的应力减少率，测定施加50N的压缩应力时的位移量，由压缩应力达到50N起180秒后的应力值相对于压缩应力达到50N时的应力值之比来计算，该应力减少率为40%以上，
该半导体晶片的加工方法包括将所述半导体晶片加工用胶带贴合至所述半导体晶片的工序，
所述基材膜上仅包含粘合剂层，或者所述基材膜上仅包含粘合剂层和锚固层，所述锚固层的厚度为0.5μm～10μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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