[发明专利]氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜在审
| 申请号： | 201580015529.3 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN106164014A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 溅射 以及 得到 半导体 薄膜 | ||
【说明书】：
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