[发明专利]于半导体薄膜的应变松弛的异质外延中用于缺陷的有效深宽比捕捉的具倾角的沟槽的使用有效
| 申请号： | 201580019086.5 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106165104B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑;法里恩·阿德尼·哈贾;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;帕特里克·M·马丁 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 应变 松弛 外延 用于 缺陷 有效 捕捉 倾角 沟槽 使用 | ||
【说明书】：
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