[发明专利]Fe基纳米晶合金磁芯和Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法

权利要求书

1.一种Fe基纳米晶合金磁芯，其为卷绕Fe基纳米晶合金带材而成的磁芯，其特征在于：

在频率为10kHz时，所述磁芯的阻抗相对导磁率μrz为90,000以上；

在频率为100kHz时，所述磁芯的阻抗相对导磁率μrz为40,000以上；并且

在频率为1MHz时，所述磁芯的阻抗相对导磁率μrz为8,500以上。

2.如权利要求1所述的Fe基纳米晶合金磁芯，其特征在于：

在频率为10kHz时，所述磁芯的阻抗相对导磁率μrz为105,000以上；

在频率为100kHz时，所述磁芯的阻抗相对导磁率μrz为45,000以上；并且

在频率为1MHz时，所述磁芯的阻抗相对导磁率μrz为9,000以上。

3.如权利要求1或2所述的Fe基纳米晶合金磁芯，其特征在于：

所述Fe基纳米晶合金带材的厚度在9μm以上20μm以下。

4.一种Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法，所述磁芯是卷绕Fe基纳米晶合金带材而成的，在将能够纳米晶化的Fe基非晶合金带材卷绕之后，具有加热到晶化温度区域、然后进行冷却的热处理步骤，所述磁芯的制造方法的特征在于，包括：

所述热处理步骤包括磁场施加步骤，限定在与差示扫描热量计测出的从比晶化开始温度高25℃的温度至比晶化开始温度高60℃的温度对应的升温期间中的温度范围内，以10分钟以上60分钟以下的时间在所述磁芯的高度方向上施加磁场。

5.如权利要求4所述的Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

所述热处理步骤包括磁场施加步骤，限定在与差示扫描热量计测出的从比晶化开始温度高30℃的温度至比晶化开始温度高50℃的温度对应的所述升温期间中的温度范围内，以15分钟以上40分钟以下的时间在所述磁芯的高度方向上施加磁场。

6.如权利要求4或5所述的Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在所述磁芯的高度方向上施加磁场强度为50kA/m以上300kA/m以下的磁场。

7.如权利要求4或5所述的Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

所述Fe基纳米晶合金带材的厚度为9μm以上20μm以下。

8.如权利要求6所述的Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

所述Fe基纳米晶合金带材的厚度为9μm以上20μm以下。

9.如权利要求4或5所述的Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在频率为10kHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为90,000以上；

在频率为100kHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为40,000以上；并且

在频率为1MHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为8,500以上。

10.如权利要求6所述的Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在频率为10kHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为90,000以上；

在频率为100kHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为40,000以上；并且

在频率为1MHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为8,500以上。

11.如权利要求7所述的Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在频率为10kHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为90,000以上；

在频率为100kHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为40,000以上；并且

在频率为1MHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为8,500以上。

12.如权利要求8所述的Fe基纳米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在频率为10kHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为90,000以上；

在频率为100kHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为40,000以上；并且

在频率为1MHz时，所制造的磁芯的阻抗相对导磁率μrz为8,500以上。