[发明专利]用于将气体注入外延腔室的设备在审
申请号: | 201580024685.6 | 申请日: | 2015-05-21 |
公开(公告)号: | CN106663606A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 李学斌;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;阿维纳什·舍韦盖尔;金以宽;尼欧·O·谬;阿布舍克·杜贝 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 气体 注入 外延 设备 | ||
1.一种注入衬垫设备,包括:
第一表面,所述第一表面具有于所述第一表面中形成的第一多个出口,所述第一多个出口用于注入衬垫中形成的第一多个通道,其中所述第一多个通道中的一或多个往相对于第一轴的所述第一多个出口向上成角度;及
第二表面,所述第二表面具有于所述第二表面中形成的第二多个出口,所述第二多个出口用于所述注入衬垫中形成的第二多个通道,其中所述第二多个出口与所述第一多个出口共面。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述第一表面位于第一半径以及所述第二表面位于来自第二轴的第二半径,并且其中所述第一半径小于所述第二半径。
3.如权利要求1所述的设备,其中所述第一多个出口中的一或多个向上成角度在1°至45°之间。
4.如权利要求1所述的设备,其中所述第一多个出口的密度在所述第一表面的中心区域处大于在所述第一表面的边缘区域处。
5.如权利要求1所述的设备,其中所述第一多个出口与第一气体源以流体耦接而与所述第二多个出口分开,所述第二多个出口与第二气体源以流体耦接。
6.一种注入衬垫设备,包括:
第一表面,所述第一表面具有于所述第一表面中形成的第一多个出口,所述第一多个出口用于注入衬垫中形成的第一多个通道,其中所述第一多个通道中的一或多个往相对于第一轴的所述第一多个出口向上成角度;
第二表面,所述第二表面具有于所述第二表面中形成的第二多个出口,所述第二多个出口用于所述注入衬垫中形成的第二多个通道,其中所述第二多个出口设置于所述第一多个出口之下;及
第三表面,所述第三表面具有于所述第三表面中形成的所述第一多个出口,所述第一多个出口用于所述注入衬垫中形成的所述第一多个通道,所述第三表面与所述第一表面共面,及其中邻近于所述第三表面形成的所述第一多个通道中的一或多个往相对于所述第一轴的所述第一多个出口向上成角度。
7.如权利要求6所述的设备,其中所述第一表面位于来自第二轴的第一半径,所述第二表面位于不同于所述第一半径的来自所述第二轴的第二半径,所述第三表面位于不同于所述第一半径和所述第二半径的来自所述第二轴的第三半径。
8.如权利要求7所述的设备,其中所述第一半径小于所述第二半径及所述第三半径小于所述第一半径。
9.如权利要求6所述的设备,其中所述第一多个通道中的一或多个向上成角度在1°至45°之间。
10.如权利要求6所述的设备,其中所述第一多个出口的密度在所述第三表面的中心区域处大于在所述第三表面的边缘区域处。
11.如权利要求6所述的设备,其中所述第一多个出口与第一气体源以流体耦接而与所述第二多个出口分开,所述第二多个出口与第二气体源以流体耦接。
12.一种注入衬垫设备,包括:
第一表面,所述第一表面具有于所述第一表面中形成的第一多个出口,所述第一多个出口用于注入衬垫中形成的第一多个通道,其中所述第一多个通道中的一或多个往相对于一轴的所述第一多个出口向上成角度;及
第二表面,所述第二表面具有于所述第二表面中形成的第二多个出口,所述第二多个出口用于所述注入衬垫中形成的第二多个通道,其中所述第二多个出口设置于所述第一多个出口之下。
13.如权利要求12所述的设备,其中所述第一多个通道中的一或多个向上成角度在1°至45°之间。
14.如权利要求12所述的设备,其中所述第一多个出口的密度在所述第一表面的中心区域处大于在所述第一表面的边缘区域处。
15.如权利要求12所述的设备,其中所第一多个出口经由所述第一多个通道与第一气体源以流体耦接而与所述第二多个出口分开,所述第二多个出口经由所述第二多个通道与第二气体源以流体耦接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造