[发明专利]半导体装置、以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一晶闸管，从具有第一面以及与所述第一面相反一侧的第二面的半导体基板的所述第一面一侧朝所述第二面依次接合有第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域、所述第一导电型的第三区域、以及所述第二导电型的第四区域，并且从与所述第一区域电气连接后形成于所述第一面的第一电极，向与所述第四区域电气连接后形成于所述第二面的第二电极流经电流；

第二晶闸管，从所述第二面一侧朝所述第一面依次接合有所述第三区域、所述第二区域、所述第一区域、以及被所述第一区域内含后与所述第一面接触形成的所述第二导电型的第五区域，并且从所述第二电极，向与所述第五区域电气连接的所述第一电极流经电流；

所述第二导电型的第六区域，被所述第一区域内含后与所述第一面接触，并且，与所述第五区域分离后形成；

栅电极，将所述第一区域以及所述第六区域电气连接后形成于所述第一面；

所述第一导电型的第七区域，被所述第一区域内含后与所述第一面接触，并且，与所述第六区域分离后形成为完全不包含所述第一面中与所述栅电极接触的部分，同时，通过所述第一电极与所述第五区域电气连接，并且掺杂物浓度高于所述第一区域；以及

所述第一导电型的第八区域，与所述第三区域的所述第二面一侧以及所述第四区域接触，并且，与所述第二面接触后形成，通过所述第二电极与所述第四区域电气连接，并且掺杂物浓度高于所述第三区域，

其中，所述第四区域与所述第五区域被形成为：在与所述第一面以及所述第二面相平行的方向上隔开规定的距离，从而使所述第四区域与所述第五区域不在与所述第一面以及所述第二面垂直相交的直线上重叠，

所述规定的距离被设定为50μm～1000μm，

所述第一电极被形成为与所述第一区域、所述第五区域以及所述第七区域短路。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第七区域为：使所述第一导电型的掺杂物从所述第一面扩散后形成的区域；

所述第八区域为：使所述第一导电型的掺杂物从所述第二面扩散后形成的区域；

所述第七区域与第八区域为同时使所述第一导电型的掺杂物扩散后形成的区域。

3.一种半导体装置的制造方法，用于制造具有：

第一晶闸管，从具有第一面以及与所述第一面相反一侧的第二面的半导体基板的所述第一面一侧朝所述第二面依次接合有第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域、所述第一导电型的第三区域、以及所述第二导电型的第四区域，并且从与所述第一区域电气连接后形成于所述第一面的第一电极，向与所述第四区域电气连接后形成于所述第二面的第二电极流经电流；

第二晶闸管，从所述第二面一侧朝所述第一面依次接合有所述第三区域、所述第二区域、所述第一区域、以及被所述第一区域内含后与所述第一面接触形成的所述第二导电型的第五区域，并且从所述第二电极向与所述第五区域电气连接的所述第一电极流经电流；

所述第二导电型的第六区域，被所述第一区域内含后与所述第一面接触，并且，与所述第五区域分离后形成；以及

栅电极，将所述第一区域以及所述第六区域电气连接后形成于所述第一面，

的半导体装置，其特征在于，包括：

第一工序，将所述第一导电型的第七区域被所述第一区域内含后与所述第一面接触，并且，与所述第六区域分离后形成为完全不包含所述第一面中与所述栅电极接触的部分，其中，所述第一导电型的第七区域为通过所述第一电极与所述第五区域电气连接，并且掺杂物浓度高于所述第一区域；以及

第二工序，将所述第一导电型的第八区域与所述第三区域的所述第二面一侧以及所述第四区域接触，并且，与所述第二面接触后形成，其中，所述第一导电型的第八区域为通过所述第二电极与所述第四区域电气连接，并且掺杂物浓度高于所述第三区域，

所述第四区域与所述第五区域被形成为：在与所述第一面以及所述第二面相平行的方向上隔开规定的距离，从而使所述第四区域与所述第五区域不在与所述第一面以及所述第二面垂直相交的直线上重叠，

所述规定的距离被设定为50μm～1000μm，

所述第一电极被形成为与所述第一区域、所述第五区域以及所述第七区域短路。