[发明专利]使用半导体结构和超晶格的高级电子装置结构有效
| 申请号： | 201580027846.7 | 申请日： | 2015-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN106537617B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | P.阿塔纳科维奇;M.戈弗雷 | 申请（专利权）人： | 斯兰纳UV科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 半导体 结构 晶格 高级 电子 装置 | ||
【说明书】：
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