[发明专利]结晶多纳米片应变沟道FET及其制造方法有效
| 申请号： | 201580029454.4 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN106463543B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 博尔纳.J.奥布拉多维奇;罗伯特.C.鲍恩;马克.S.罗德尔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶 纳米 应变 沟道 fet 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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