[发明专利]在IV衬底上在低温下沉积晶层、尤其是光致发光IV‑IV层的方法,以及包含这种层的光电元器件在审
申请号: | 201580031711.8 | 申请日: | 2015-05-18 |
公开(公告)号: | CN106414816A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | D.格鲁茨马赫;S.沃思;D.M.布卡;S.曼特尔 | 申请(专利权)人: | 于利希研究中心 |
主分类号: | C30B25/02 | 分类号: | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/10;C30B29/52;H01L21/205 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 侯宇,冯欢 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | iv 衬底 低温 沉积 尤其是 光致发光 方法 以及 包含 这种 光电 元器件 | ||
【权利要求书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于于利希研究中心,未经于利希研究中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580031711.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电触点材料、电触点材料的制造方法和端子
- 下一篇:纺丝牵引装置