[发明专利]原子层沉积装置及使用装置处理基板的方法

权利要求书

1.一种原子层沉积装置(10)，包括：

下壁(12)，其包括多个气体注入开口(16)；

上壁(14)，平行于该下壁(12)延伸，其包括多个气体注入开口(16)；

第一侧壁(18)与第二侧壁(20)，大体上相对于该下壁(12)垂直延伸；以及

多个气体排出开口；

其中，该下壁(12)、该上壁(14)、该第一侧壁(18)以及该第二侧壁(20)组合成加工隧道(24)，该加工隧道(24)具有在输送方向(T)延伸的长度，并具有横向于该输送方向(T)延伸的宽度，且该加工隧道(24)定义位于该第一侧壁(18)与该第二侧壁(20)中间的垂直中间平面；

该装置(10)还包括：

第一前驱体气体源(26)，连接到多个气体注入开口(16)的一系列的气体注入开口(28)，以便产生第一前驱体气体注入区域(30)，该第一前驱体气体注入区域(30)大体上延伸覆盖该加工隧道的整个该宽度(W)且在空间中沿着该加工隧道(24)的该输送方向(T)排列；

第一冲净气体源(32)，连接到多个气体注入开口(16)的一系列的气体注入开口(33)，以便产生冲净气体注入区域(34)，该冲净气体注入区域(34)大体上延伸覆盖该加工隧道(24)的整个该宽度(W)且在空间中沿该加工隧道(24)的该输送方向(T)排列；

第二前驱体气体源(36)，连接到多个气体注入开口(16)的一系列的气体注入开口(35)，以便产生第二前驱体气体注入区域(38)，该第二前驱体气体注入区域(38)大体上延伸覆盖该加工隧道(24)的整个该宽度(W)且在空间中沿着该加工隧道(24)的该输送方向(T)排列；

其中，该第一前驱体气体源(26)、该冲净气体源(32)以及该第二前驱体气体源(36)到各自的气体注入开口(16)的连接，使得多个连续加工区段(40)沿着该输送方向(T)在该加工隧道(24)内被产生，其中，每个加工区段(40)包括依次的第一前驱体气体注入区域(30)、冲净气体区域(34)、第二前驱体气体注入区域(38)以及冲净气体区域(34)；

该装置(10)还包括：

其中，

在该下壁(12)与该上壁(14)的气体注入开口(16)的分布；以及

待加工的基板(S)的厚度以及该下壁(12)与该上壁(14)之间的距离(D)，两者之间的比例；以及

通过气体注入开口(16)的气体供应；以及

通过气体排出开口的气体排出，使用时，是这样的：

气体轴承形成在基板(S)的上方与下方，该基板(S)存在于该加工隧道(24)内；以及

在每个第一前驱体气体区域(30)内，每个冲净气体区域(34)与每个第二前驱体气体区域(38)，存在两个相反的横向流，其大体上垂直于该输送方向(T)，且从该加工隧道(24)的该垂直中间平面各自流向该第一侧壁(18)与该第二侧壁(20)；

其特征在于

第二冲净气体源(44)，其压力比该第一冲净气体源(32)更高；

第一系列的高压气体注入开口(46)，位于该上壁(14)与该下壁(12)中的至少一个，其中该第一系列的高压气体注入开口(46)定位于每个冲净气体区域(34)内，且该第一系列的高压气体注入开口(46)大体上覆盖该加工隧道(24)的整个该宽度(W)且连接到该第二冲净气体源(44)；

并且，其特征在于

气体排出开口，包括第一系列的气体排出开口(48)，该第一系列的气体排出开口(48)设置在该上壁(14)与该下壁(12)中的至少一个，且大体上分布覆盖该加工隧道(24)的整个该宽度(W)并连接到气体排出通道(49)；

其中，该第一系列的高压气体注入开口(46)与该第一系列的气体排出开口(48)被定位，使得它们一起产生位于每个冲净气体区域(34)内的第一高压/吸入区域(50)，其中，每个第一高压/吸入区域(50)大体上延伸覆盖该加工隧道(24)的整个该宽度(W)；以及

其中连接到该第二冲净气体源(44)的该气体注入开口(46)的分布、在每个第一高压/吸入区域(50)内的该第一系列的气体排出开口的气体排出开口(48)的分布，以及该第二冲净气体源(44)的压力与在气体排出开口(48)的压力，是这样的，在每个第一高压/吸入区域(50)内的平均压力和参考压力的偏差值小于30％，该参考压力为基板不存在时，在该第一前驱体气体区域(30)、该第二前驱体气体区域(38)以及该冲净气体区域(34)内的该平均压力所定义。