[发明专利]用于构造空腔的方法以及具有空腔的构件

权利要求书

1.一种用于在硅衬底(1)内构造空腔的方法，其中，所述方法包括以下步骤：

提供所述硅衬底(1)，其中，所述硅衬底(1)的表面(3)相对于所述硅衬底(1)的第一平面(5)具有倾斜角(7)，其中，所述第一平面(5)是所述硅衬底(1)的{111}平面；

在所述硅衬底(1)的表面(3)上布置蚀刻掩模(200，201，202，203)，

其中，所述蚀刻掩模(200，201，202，203)具有掩模开口(210)，该掩模开口具有第一横棱边(211)和与所述第一横棱边(211)平行的第二横棱边(212)；

其中，在所述硅衬底(1)的第一平面(5)内布置所述第一横棱边(211)；

其中，所述蚀刻掩模(200，201，202，203)具有伸进所述掩模开口(210)内的第一前置结构(220，300)；

其中，所述蚀刻掩模(200，201，202，203)具有第一蚀刻开端区域(222)；以及

其中，将所述掩模开口(210)的在所述第一蚀刻开端区域(222)以外的所有其他棱边(215)布置为与所述硅衬底(1)的{111}平面基本上平行；

在确定的蚀刻持续时间期间各向异性地蚀刻所述硅衬底(1)；

其中，朝向所述硅衬底的{111}方向的蚀刻速率小于朝向其他空间方向的蚀刻速率；

其中，从所述第一蚀刻开端区域(222)出发朝向第一侧蚀方向(8)地侧蚀所述第一前置结构(220，300)；

其中，所述第一侧蚀方向(8)定向为与所述掩模开口(210)的第一横棱边(211)和第二横棱边(212)平行；

其中，所述蚀刻持续时间这样确定，使得通过各向异性蚀刻在所述硅衬底(1)内构造空腔(100)，所述空腔在所述硅衬底(1)的表面(3)上具有开口(110)；

其中，所述空腔(100)的开口(110)在两侧上通过所述掩模开口(210)的第一横棱边(211)和第二横棱边(212)限界，并且在另一侧上通过与所述第一和第二横棱边(211，212)垂直的第一纵棱边(113)限界，该第一纵棱边通过所述第一前置结构(220)的侧蚀来制造；以及

其中，所述蚀刻持续时间还这样确定，使得在该蚀刻持续时间结束之后，所述硅衬底(1)的第一平面(5)基本露出并且构成所述空腔(100)的底面(115)。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述蚀刻掩模(200，201，202，203)具有伸进所述掩模开口(210)内的第二前置结构(240，305)；

其中，所述蚀刻掩模(200，201，202，203)具有第二蚀刻开端区域(242)；

其中，通过所述硅衬底(1)的各向异性蚀刻，从所述第二蚀刻开端区域(242)出发，这样朝向与第一侧蚀方向(8)相反的第二侧蚀方向(9)地侧蚀所述第二前置结构(240，305)，使得在蚀刻持续时间结束之后构成限界所述空腔(100)的开口(110)的第二纵棱边(114)，所述第二纵棱边布置为平行于所述第一纵棱边(113)。

3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中，所述第一蚀刻开端区域(222)具有蚀刻开始棱边(223)，将该蚀刻开始棱边布置为与所述硅衬底(1)的{111}平面不平行。

4.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，所述第一前置结构(220)具有三角形基准结构(260)；

其中，在所述三角形基准结构(260)的第一侧(261)上构造所述第一纵棱边(113)；以及

其中，所述三角形基准结构(260)的第二侧(262)和第三侧(263)布置为与所述硅衬底(1)的{111}平面基本上平行。

5.根据权利要求4所述的方法，

所述第一前置结构(220)具有第一延滞结构(270，400)，所述第一延滞结构布置在所述三角形基准结构(260)的与所述第一侧(261)对置的第一角点(267)上。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中，所述第一延滞结构(400)将所述三角形基准结构(260)的第一角点(267)与所述第一横棱边(211)和/或所述第二横棱边(212)连接。