[发明专利]固化性组合物、固化性组合物的制造方法及半导体装置有效
申请号: | 201580033204.8 | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN106661192B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 西村贵史;中村秀;前中宽;青山卓司;小林佑辅 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | C08G59/20 | 分类号: | C08G59/20;C08K3/22;C08K5/16;C08L63/00;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固化 组合 制造 方法 半导体 装置 | ||
1.一种固化性组合物,其含有:挠性环氧化合物、与挠性环氧化合物不同的环氧化合物、固化剂、球状氧化铝、和分散剂,
所述分散剂的胺值为5KOHmg/g以上,且所述分散剂的酸值为5KOHmg/g以上,所述挠性环氧化合物为聚亚烷基二醇二缩水甘油醚。
2.如权利要求1所述的固化性组合物,其中,
所述分散剂的胺值为40KOHmg/g以上、95KOHmg/g以下,且所述分散剂的酸值为45KOHmg/g以上、95KOHmg/g以下。
3.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,
所述分散剂的胺值与所述分散剂的酸值之差的绝对值为10以下。
4.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其不含溶剂,或者含有低于0.5重量%的溶剂。
5.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,
所述球状氧化铝的含量为60体积%以上。
6.如权利要求5所述的固化性组合物,其中,
所述球状氧化铝的含量为70体积%以上。
7.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,
所述球状氧化铝包含:
平均粒径为0.1μm以上且低于10μm的球状氧化铝、和
平均粒子径为10μm以上且80μm以下的球状氧化铝。
8.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,
所述固化剂为烯丙基酚醛清漆化合物。
9.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,
相对于所述挠性环氧化合物100重量份,所述与挠性环氧化合物不同的环氧化合物的含量为10重量份以上且100重量份以下,所述挠性环氧化合物为聚亚烷基二醇二缩水甘油醚。
10.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其含有:
100℃下的重量减少为10重量%以下的硅烷偶联剂、
100℃下的重量减少为10重量%以下的钛酸酯偶联剂、或
100℃下的重量减少为10重量%以下的铝酸酯偶联剂。
11.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其中,
所述固化剂是在23℃下为液态的固化剂。
12.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其含有固化促进剂。
13.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其与下述物质不同:所述物质配置于半导体元件和其它连接对象部件之间,并形成对所述半导体元件和所述其它连接对象部件进行粘接及固定从而使它们不会发生剥离的固化物。
14.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其是为了保护半导体元件而用于在所述半导体元件的表面上形成固化物的半导体元件保护用材料。
15.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其是为了保护半导体元件而涂布在所述半导体元件的表面上使用的半导体元件保护用材料。
16.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其是为了保护半导体元件而涂布在所述半导体元件的表面上使用的半导体元件保护用材料,
所述固化性组合物含有固化促进剂,
所述固化剂是在23℃下为液态的固化剂。
17.如权利要求1或2所述的固化性组合物,其与下述物质不同:所述物质配置于半导体元件和其它连接对象部件之间,并形成对所述半导体元件和所述其它连接对象部件进行粘接及固定从而使它们不会发生剥离的固化物。
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