[发明专利]氧化镓衬底

说明书

技术领域

本发明涉及氧化镓衬底。

背景技术

作为用于制造氧化镓单晶的晶体培养法的一个例子，有EFG(Edge-defined Film-fed Growth:导模法)法(例如，参照专利文献1)。

当采用上述专利文献1中所记载的EFG法形成氧化镓单晶时，使氧化镓单晶从氧化镓溶液中进行晶体生长。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2013-237591号公报

发明内容

发明要解决的问题

当使氧化镓单晶生长时，在晶体生长过程中由于要防止氧化镓溶液的蒸发，故向氧化镓溶液的表面提供氧。然而，本发明人等发现：如果向氧化镓溶液的表面提供了过量的氧，则在进行了晶体生长的氧化镓单晶的衬底加工工序时，将在氧化镓单晶的表面产生许多线状凹坑(pit)。

本发明的目的在于，提供一种线状凹坑少的氧化镓衬底。

用于解决问题的方案

上述目的通过记载于下述[1]～[3]的各发明来实现。

[1]一种氧化镓衬底，单晶表面的线状凹坑的密度的平均值为1000个/cm²以下。

[2]上述[1]记载的氧化镓衬底，上述单晶中的有效载流子浓度在1×10¹⁷[/cm³]～1×10²⁰[/cm³]的范围内。

[3]上述[1]记载的氧化镓衬底，上述单晶中的有效载流子浓度在2.05×10¹⁷[/cm³]～2.23×10¹⁹[/cm³]的范围内。

发明效果

根据本发明，能够提供一种线状凹坑少的氧化镓衬底。

附图说明

图1是EFG晶体制造装置的主要部分截面图。

图2是表示β－Ga₂O₃系单晶的生长过程中的情况的主要部分立体图。

图3是示出经CMP研磨的氧化镓衬底的表面状态的光学显微镜照片。

图4是示出经磷酸蚀刻的氧化镓衬底的表面状态的光学显微镜照片。

图5是示出β－Ga₂O₃系单晶中的有效载流子浓度与每单位面积的β－Ga₂O₃系单晶的线状凹坑的个数之间的关系的图表。

具体实施方式

以下根据附图对本发明的优选实施方式进行具体描述。

在图1和图2中，表示整体的附图标记10示意性地示出了EFG晶体制造装置。

该EFG晶体制造装置10包括：对溶解β－Ga₂O₃系粉末而得到的Ga₂O₃系溶液11进行盛载的坩埚12；设置在坩埚12内的模具(die)13；对除了缝隙13a的开口部13b之外的坩埚12的上表面进行关闭的盖14；保持β－Ga₂O₃系籽晶(以下称为“籽晶”)20的籽晶保持件21；以及可升降地支撑籽晶保持件21的轴22。

坩埚12由可收存Ga₂O₃系溶液11的具有耐热性的铱等金属材料构成。模具13具有利用毛细管现象使Ga₂O₃系溶液11上升的缝隙13a。盖14防止高温的Ga₂O₃系溶液11从坩埚12蒸发，并防止Ga₂O₃系溶液11的蒸汽附着在缝隙13a的上表面以外的部分。