[发明专利]具有发光二极管的光电子电路

权利要求书

1.一种用于接收包含上升阶段和下降阶段的交替的可变电压V_ALIM的光电子电路(20)，所述光电子电路包括：

多个具有发光二极管的组件，所述组件被串联组装；

用于每个组件的比较单元COMP_i，其能够将所述组件的一个端子处的电压V_Ci和取决于所述组件的一个端子处的所述电压V_Ci的电压中的至少一个与至少第一阈值V_lowi以及第二阈值V_highi进行比较；

电流源(30)；

用于每个组件的开关SW_i，其将所述电流源连接到所述组件的所述端子；和

控制单元(32)，其连接到所述比较单元COMP_i，并且在每个上升阶段期间对于来自所述多个组件的每个第一组件，能够当所述第一组件的所述电压V_Ci上升到所述第二阈值V_highi以上时命令连接到与所述第一组件邻近的第二组件的开关SW_i导通；以及在每个下降阶段期间对于来自所述多个组件的每个第三组件，能够当所述第三组件所述电压V_Ci降低到低于所述第一阈值V_lowi时，命令连接到所述第三组件的开关SW_i断开。

2.根据权利要求1所述的光电子电路，其中，在每个上升阶段期间所述控制单元(32)能够在导通与所述第二组件相关联的开关SW_i之后命令与所述第一组件相关联的开关SW_i断开。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的光电子电路，还包括能够提供所述电压V_ALIM的全波整流电路(12)。

4.根据权利要求3所述的光电子电路，其中，所述发光二极管(27)中的至少一个是平面发光二极管，其包括位于在平坦表面上的层堆叠，具有至少一个能够发光的有源层。

5.根据权利要求3所述的光电子电路，其中，发光二极管的组件中的至少一个中的发光二极管包括微米线形式的三维半导体元件、纳米线形式的三维半导体元件、或棱锥体形式的三维半导体元件，每个半导体元件被能够发光的有源层覆盖。

6.根据权利要求3所述的光电子电路，包括包含所述控制单元(32)的第一集成电路(84；94)，以及与所述第一集成电路不同并且附接到所述第一集成电路的至少一个第二集成电路(82；92)，并且所述光电子电路还包括所述发光二极管的组件中的至少一个。

7.根据权利要求6所述的光电子电路，其中，所述第二集成电路(92)包括发光二极管的所有组件。

8.根据权利要求6所述的光电子电路，还包括与所述第一集成电路(84)和所述第二集成电路不同并且附接到所述第一集成电路的第三集成电路(82)，并且所述光电子电路还包括发光二极管的组件中的至少一个。