[发明专利]陶瓷结构体、基板保持装置用部件及陶瓷结构体的制法

权利要求书

1.一种陶瓷结构体，其是在陶瓷基体的表面或内部具备电极的陶瓷结构体，所述陶瓷基体是主成分为氧化铝或稀土金属氧化物的烧结体，其中，

所述陶瓷基体的热膨胀系数在40～1200℃下为7.5～9.5ppm/K，

所述电极的主成分为金属钌，

所述电极除包含金属钌以外，还包含钛及铌中的至少一者，或者还包含钌铝合金。

2.根据权利要求1所述的陶瓷结构体，其中，

所述陶瓷基体与所述电极在40～1200℃下的热膨胀系数的差的绝对值为1.0ppm/K以下。

3.根据权利要求1所述的陶瓷结构体，其中，

所述电极除包含金属钌以外，还包含填料成分。

4.根据权利要求3所述的陶瓷结构体，其中，

所述填料成分为从由氧化锆、氮化钛及构成所述陶瓷基体的主成分物质构成的组中选择的至少1种。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的陶瓷结构体，其中，

所述电极在室温下的电阻率为3.0×10^-5Ωcm以下。

6.一种基板保持装置用部件，其具备权利要求1～5中的任一项所述的陶瓷结构体。

7.一种陶瓷结构体的制法，其通过以下方式得到陶瓷结构体：

在第一基体的一面配置主成分为金属钌的电极或电极前驱体，所述第一基体是主成分为氧化铝或稀土金属氧化物的成型体、预烧体或烧结体，

在该电极或电极前驱体上层叠第二基体，制成层叠体，所述第二基体是以与所述第一基体主成分相同的氧化物为主成分的成型体、预烧体或烧结体，

对该层叠体进行热压烧成，由此得到陶瓷结构体，

所述电极或电极前驱体除包含金属钌以外，还包含钛及铌中的至少一者，或者还包含钌铝合金。

8.根据权利要求7所述的陶瓷结构体的制法，其中，

所述第一基体及所述第二基体的主成分为氧化铝的情况下，将所述热压烧成的烧成温度设定为1500℃以下，

所述第一基体及所述第二基体的主成分为稀土金属氧化物的情况下，将所述热压烧成的烧成温度设定为1600℃以下。